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搜索资源列表

  1. 常用高频半导体三极管BJT（Bipolar Junction Transistor）介绍

  2. BJT的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，这是选用BJT的依据。了解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用BJT达到设计电路的经济性和可靠性是十分必要的。（原创文章） 本文对常用三极管进行了列表整理，但因工作量太大，没有做到尽善尽美。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-17
    • 文件大小：87040
    • 提供者：chenxiaogo123

  1. 数字式BJT参数特性测试仪的设计

  2. 介绍了手持式BJT参数特性测试仪的设计，是非常实用和基础的简单设计，非常适合高校研究学习

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-01
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：Andy19881101

  1. BJT SPICE MODEL (MULTISIM11.0)

  2. 用于Multisim11.0的常用BJT模型，直接在数据库管理者的用户库中输入。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-10-07
    • 文件大小：297984
    • 提供者：wkxin

  1. GPS串口对时软件-采用BJT规约

  2. 采用BJT规约实现了串口GPS对时，本软件采用MFC编写，小巧实用

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-12-02
    • 文件大小：56320
    • 提供者：riyue1108

  1. 基于multsim简易BJTβ检测电路的设计

  2. 本题要求设计一个简易双极型晶体管（BJT）电流放大系数β检测电路。该电路能够判别出BJT的类型（NPN或PNP）并检测出β的档位 1．要求电路至少能将β从0～∞分为8个档位。 2．能够手动调节8个档位值的大小。 3．通过点亮发光二极管指示β所在的档位。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-03
    • 文件大小：304128
    • 提供者：qq347889104

  1. MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图.pdf

  2. MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图pdf,本文档的主要内容详细介绍的是MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：488448
    • 提供者：weixin_38743602

  1. BJT三极管的伏安特性

  2. 器件的伏安特性是指器件的电压一电流转移关系。 BJT 的伏安特性主要用来定性说明晶体管各极电流与电压的关系，最常用的特性分为输入特性和输出特性两种。这里介绍应用最广泛的共发射极接法的输出、输入特性曲线.

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-08-02
    • 文件大小：41984
    • 提供者：davidhu1987_cn

  1. BJT开关工作原理及作用

  2. 本文主要讲了BJT开关工作原理及作用，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38696582

  1. 什么是BJT,BJT功能介绍

  2. 本文主要讲了BJT的概念以及对BJT功能进行了简要介绍，下面一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38584148

  1. BJT参数测试仪中数控微电流源研究与实现

  2. 本文介绍了满足小功率BJT参数测试要求的双极性高精度数控微电流源，预置电流直接送入被测三极管的基极，这样就不需对基极电流进行采样，不但简化了电路设计，而且减小了系统测试误差。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-30
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38729336

  1. 开关电源设计，何时用BJT？

  2. 文章主要讲解在开关电源设计中，何时用BJT的问题，感兴趣的朋友可以看看。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38500117

  1. 开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET？

  2. 　　MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 （BJT） 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38667408

  1. 开关电源设计，何时使用BJT？

  2. MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38727453

  1. 开关电源设计 何时使用BJT？

  2. MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。本文主要介绍了开关电源设计如何使用BJT的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38535428

  1. 为什么在反激式转换器中使用BJT？

  2. 　在USB 适配器、手机充电器以及系统偏置电源等大量低功耗应用中，低成本准谐振/非连续模式反激式转换器是常见选择。这类转换器设计效率高，成本极低。因此为什么不考虑在自己的设计中使用双极性节点晶体管（BJT）呢？

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38705788

  1. 电源技术中的为什么在反激式转换器中使用BJT？

  2. 在USB 适配器、手机充电器以及系统偏置电源等大量低功耗应用中，低成本准谐振/非连续模式反激式转换器是常见选择（图1）。这类转换器设计效率高，成本极低。因此为什么不考虑在自己的设计中使用双极性节点晶体管（BJT）呢？ 　　这样做有两个非常有说服力的理由：一个是BJT的成本远远低于 FET；另一个是BJT的电压等级比 FET 高得多。这有助于设计人员降低钳位电路和/或缓冲器电路的电气应力与功耗。使用BJT的唯一问题是许多工程师已经习惯于 FET，或是在他们的电源转换器中从来不将BJT用作主开关（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：275456
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 电源技术中的优化低成本BJT开关方案 满足DoE和CoC新效率标准

  2. 众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。     Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部(DoE)和欧盟行为准则(CoC)严格的新效率标准的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：216064
    • 提供者：weixin_38501045

  1. 电源技术中的开关电源设计，何时使用BJT？

  2. MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。     在低功耗（3W 及以下）反激式电源中，很难在成本上击败 BJT。大批量购买时，一个 13003 NPN 晶体管价格可低至 0.03 美元。该器件不仅可处理 700V VCE，而且无需过大的基流便可驱动几百毫安的电流。使用 BJT，增益和功率耗散可能会将实际使用限

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38687968

  1. 元器件应用中的什么叫双极结型晶体管（BJT）

  2. 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）　　BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38542148

  1. 元器件应用中的安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT

  2. 全球领先的分立器件供应商，安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出全新系列的高性能VCE(sat) 双极结晶体管(BJT)，该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。 　　此类创新的低VCE(sat) BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的特性，专为负担得起且能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。理想的应用包括电源管理、电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38644097
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