模拟电子技术基础知识一至十章的详细课件：半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性，二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等；三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等；FET的结构原理、输出与转移特性等；放大电路的组成原理、信号传输过程和设置合适Q点的必要性等；BJT的h参数等效模型及放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算。

多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

最全的模电数电multisim仿真电路实例，只要1积分，包含 1-5-1a二极管仿真电路.ms9 1-5-2稳压管仿真电路.ms9 1-5-3BJT仿真电路.ms9 1-5-4aMOSFET仿真电路.ms9 10-10-1a单相桥式整流电路.ms7 10-10-2a桥式整流电容滤波电路.ms7 10-10-3硅稳压管稳压电路.ms7 10-10-4串联型直流稳压电路.ms7 10-10-5a三端集成稳压器-a.ms7 10-10-5b三端集成稳压器-b.ms7 10_循环计数器.ms9 2-9

器件的伏安特性是指器件的电压一电流转移关系。 BJT 的伏安特性主要用来定性说明晶体管各极电流与电压的关系，最常用的特性分为输入特性和输出特性两种。这里介绍应用最广泛的共发射极接法的输出、输入特性曲线.