整体绝缘的Bi2Te2Se微薄片的磁阻响应中提取了通用电导涨落（UCF）。 通过场倾斜磁阻测量证明了它们的二维特性。 它们源自表面电子的事实是，在施加面内电场以抑制体电子的相干性时，UCF振幅保持不变。 在考虑一批微米大小的样本中的集合平均后，获得的固有UCF幅度超过0.37 e（2）/ h。 这与关于拓扑表面状态的理论预测是一致的。 所有证据都指向对拓扑表面状态UCF的成功观察。