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搜索资源列表

  1. 基于BiCMOS工艺的BipolarVCO和CMOSVCO性能对比

  2. 最新上传文件，有关BiCMOS的资料，都是从收费网站上下的。

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-01-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：zjl840928

  1. Analog BiCMOS design.pdf

  2. 介绍BiCMOS设计的书，自己一直感觉不错，共享给大家。

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2011-08-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：yjq2008

  1. analog bicmos design

  2. analog bicmos design

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-01-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_25367381

  1. A Comparison of Si CMOS, SiGe BiCMOS, and InP HBT Technologies

  2. 一个详细比较Si CMOS, SiGe BiCMOS, 和 InP工艺的文档。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-09-24
    • 文件大小：472064
    • 提供者：joesping

  1. MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图.pdf

  2. MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图pdf,本文档的主要内容详细介绍的是MOS管,BJT,BICMOS,二极管,电阻和电容工艺及触发器版图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：488448
    • 提供者：weixin_38743602

  1. BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

  2. 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下，输出基准参考电压为1.2 V，温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 dB，具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计，该偏置电路除了提供偏置电流外，还具备带宽调节功能，可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：552960
    • 提供者：weixin_38539705

  1. 基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 基于0．5μm CMOS工艺的新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC0.5μm工艺平

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：220160
    • 提供者：weixin_38746701

  1. 新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：235520
    • 提供者：weixin_38593644

  1. 差分BiCMOS采样电路仿真设计

  2. 为了解决传统S／H电路失真大和静态工作点不稳定的问题，采用0.25 μm BiCMOS工艺，设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S／H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路(CMFB)设计具有创新性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：169984
    • 提供者：weixin_38735790

  1. 电子测量中的Maxim推出高性能BiCMOS工艺制造的硅调谐器

  2. Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543，支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺，具有业内最佳的调谐性能，标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543，用户能够利用单一硅片支持全球范围的主要电视标准。 　　MAX3543具有业内最佳的灵敏度指标、4dB噪声系数和优异的阻塞性能，能够在各种苛刻条件下提供最高质量的接收信号。器件能够直接满足市场的主要需求，其性能优于高频头调谐器，并消除了其它硅调谐器普遍存在的杂散信号。器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38654220

  1. 元器件应用中的BiCMOS工艺单片集成光电接收器

  2. 由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用N＋隐埋层集电极作为探测器阴极，P＋源/漏注入形成阳极，低掺杂外延层形成探测器 I层，这样就形成了纵向PIN结构。由于P型隔离层将PIN的N＋阴极限制在光电二极管区域，起到了隔离探测器和 CMOS器件的作用，因此可以在光电二极管的两端加上较大电压，使得耗尽区

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38529486

  1. 电源技术中的飞利浦发布面向RF产品的BiCMOS工艺

  2. 飞利浦电子公司日前发布了QUBiC4X技术，这是高性能BiCMOS工艺技术（双极CMOS）中QUBiC4系列产品的最新成员。这一基于硅锗碳（SiGe:C）技术的新工艺令双极晶体管的fT指标超过了130GHz，非常适合于10GHz到30GHz范围之间的微波应用，例如卫星电视接收器和汽车碰撞探测雷达。而其超低的噪音指标使这一新工艺非常适用于灵敏的RF接收器，例如高性能手机为提高在线消费者的用户体验所需的RF接受器。 　　在增益率和噪音指标方面，QUBiC4X的双极晶体管可以同砷化镓性能相媲美，同时使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38741195

  1. 飞利浦首推业内最小的DQFN封装BiCMOS逻辑器件

  2. 飞利浦电子公司(Royal Philips Electronics)日前推出采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，号称业界最小的BiCMOS逻辑器件。这种器件适合于空间受限而对性能有所要求的应用，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及其他许多计算应用。同时，可以帮助设计师进一步缩小电路板体积或解放电路板空间，用以增加额外的元件及功能。 　　飞利浦的DQFN封装BiCMOS逻辑器件专为逻辑门和八进制而设计。这些器件集成了一个裸露的芯片踏板，比同比 TSSOP封装的散热性能提高了20％。DQF

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38728277

  1. 一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路

  2. 一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路 西安电子科技大学 CAD所 潘华兵 来新泉 贾立刚 引言在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38722464

  1. PCB技术中的一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级

  2. (1．重庆邮电学院　重庆　400065；2．信息产业部电子二十四所　重庆　400060) 　　摘　要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的AB类输出级。通过对这种结构的工作原理，结构特点的分析，仿真得出电阻负载为2 kΩ，电容负载为100 pF时的最大上升、下降转换速率分别为40 V/μs和30 V/μs；在±15 V的电源下，静态功耗小于10 mW。 关键词：模拟集成电路；跨导线性原理；专用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38671819

  1. BiCMOS 模拟工艺技术

  2. 美国国家半导体公司的专有 BiCMOS 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统等均可充分利用新工艺的这些优点。 美国国家半导体特别为供电电压介于 0.9V 至 12V 之间的运算放大器开发 VIP50 工艺技术 (VIP 是垂直综合 PNP 工艺技术的简称)。利用 VIP50 工艺制造的首六款产品无论在电源使用效率、噪音水平及准确度都比美国国家半导体的旧型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38725426

  1. 一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路

  2. 摘 要：本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，工作电压最低可达1.5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想，并且给出了最终设计电路。关键词：低电压；DC-DC；自举升压；驱动电路 引言目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：(1)高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38690545

  1. 一种高性能BiCMOS差分参考电压源

  2. 采用电流求和结构，提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源，引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比，电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂。基于ASMC 0.35μm 3.3V BiCMOS工艺的仿真和测试结果表明，在低频和 100MHz时，参考差分电压对电源噪声抑制比为 78.1dB和 66.7dB，对地线噪声抑制比为 72.4dB和 63.8dB，输出差分参考电压的平均温度系数为11ppm/℃，有效芯片面积2.2mm2，功耗小于15mW，可应用于14位1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38605801

  1. 一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

  2. 一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计、电子技术,开发板制作交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：162816
    • 提供者：weixin_38706603
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