使用X射线光电子能谱研究了多层MoS2（5 nm）/ HfZrO4（15 nm）异质结处的能带工程以及CHF3等离子体处理对能带偏移的影响。 对于未经CHF3等离子体处理的MoS2 / HfZrO4样品，价带偏移约为1.00 eV，导带偏移约为3.20 eV。 使用CHF3等离子体处理，导带偏移降低了0.37 eV。 认为能带排列的差异主要是由Hf 4f核心能级的上移引起的，这与F离子与Hf原子具有强相互作用的计算结果一致。 这一有趣的发现鼓励将HfZrO4用作基于MoS2的电子设备中的栅极氧化