提出了应用0.13 ?滋m CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz有33～51 dB的隔离度。

提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关。测试结果显示，在Ka波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz时测得的输入1 dB压缩点（P-1 dB）为8 dBm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz有33～51 dB的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积（die）仅仅为160×180 μm2。