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1.8V 5.2 GHz 差分结构CMOS 低噪声放大器.pdf
摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与 基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μm CMOS 工艺设计的 5.2 GHz 低噪声放大器。在 1.8 V 电压下 ,工作电流为 24 mA 增益为 15.8 dB 噪声系数为 1.4 dB。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-16
文件大小:223232
提供者:
weixin_38743506
1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计 .
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:380928
提供者:
weixin_38732842
采用ADS的CMOS双平衡混频器设计
CMOS技术本身具有低价格、低功耗、易于集成的特点,使得射频集成电路向着高集成度、高性能和低功耗低成本的的趋势发展,加之半导体工艺的进步,基于CMOS技术的器件的工作频率已能达到20GHz,并且完全可以与收发器后端电路实现单片集成,极大推动了无线通信技术的发展。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:297984
提供者:
weixin_38660579
RFID技术中的RF4CE射频遥控器的软硬件设计
无线通信产品一直朝着低成本、低消耗功率、小体积等趋势向前发展。短距离设备(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(图1)概念的推动下,带动了市场对射频芯片(RF IC)需求量的大增。射频收发器(TRX)要实现低功耗设计,低电压工作是必要条件。然而,电路效能与工作电压有关,如何兼顾效能与低功耗是一个很大的挑战。近年来,RF IC制作技术日新月异。高速、低功率元件更是众所瞩目之焦点。目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管,其fT值可达到60GHz,这表明CMOS晶体管有足
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-06
文件大小:187392
提供者:
weixin_38562085
RFID技术中的1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。 传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:284672
提供者:
weixin_38666753
模拟技术中的一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器的设计应用
由于成本低和集成度高等特点, CMOS技术正越来越多地应用于无线射频收发芯片的设计。低噪声放大器作为射频信号传输链路的第一级,整个系统的信噪比( SNR)很大程度上取决于低噪声放大器(LNA)的噪声系数(NF)和增益。因此,高性能的LNA成为射频前端电路设计的关键模块。其主要目的是提供较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降;提供足够高的增益使其可以抑制后续级模块的噪声以及良好的输入输出阻抗匹配;同时按照无线通信设备发展趋势所要求的, LNA必须尽可能低的功耗。 Inductive2dege
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:330752
提供者:
weixin_38698860
RFID技术中的RF4CE射频遥控器的设计要点
无线通信产品一直朝着低成本、低消耗功率、小体积等趋势向前发展。短距离设备(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(图1)概念的推动下,带动了市场对射频芯片(RF IC)需求量的大增。射频收发器(TRX)要实现低功耗设计,低电压工作是必要条件。然而,电路效能与工作电压有关,如何兼顾效能与低功耗是一个很大的挑战。近年来,RF IC制作技术日新月异。高速、低功率元件更是众所瞩目之焦点。目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管,其fT值可达到60GHz,这表明CMOS晶体管有足
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-08
文件大小:198656
提供者:
weixin_38577200
CMOS射频电路的发展趋势
摘 要:本文介绍目前正在研发、将来终将成为主流射频收发器的CMOS射频电路的体系结构和电路设计,设计实例将展示CMOS射频电路的良好性能,并预示CMOS射频集成电路取代砷化镓和SiGe电路实现系统集成。 引 言 根据今年国际固体电路年会的报告,集成电路(IC)的最大市场莫过于网络设备,移动电话和消费类电子。中国已经是IC第三大市场,潜在的市场令世人瞩目,其中移动电话用户数量在世界上占第一位。蓝牙技术是短距离无线控制和通信,无线局域网是近距离数据通信,移动电话和全球定位系统是无线通信
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-03
文件大小:189440
提供者:
weixin_38589150
一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器的设计应用
由于成本低和集成度高等特点, CMOS技术正越来越多地应用于无线射频收发芯片的设计。低噪声放大器作为射频信号传输链路的级,整个系统的信噪比( SNR)很大程度上取决于低噪声放大器(LNA)的噪声系数(NF)和增益。因此,高性能的LNA成为射频前端电路设计的关键模块。其主要目的是提供较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降;提供足够高的增益使其可以抑制后续级模块的噪声以及良好的输入输出阻抗匹配;同时按照无线通信设备发展趋势所要求的, LNA必须尽可能低的功耗。 Inductive2degene
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:455680
提供者:
weixin_38502183
RF4CE射频遥控器的软硬件设计
无线通信产品一直朝着低成本、低消耗功率、小体积等趋势向前发展。短距离设备(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(图1)概念的推动下,带动了市场对射频芯片(RF IC)需求量的大增。射频收发器(TRX)要实现低功耗设计,低电压工作是必要条件。然而,电路效能与工作电压有关,如何兼顾效能与低功耗是一个很大的挑战。近年来,RF IC制作技术日新月异。高速、低功率元件更是众所瞩目之焦点。目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管,其fT值可达到60GHz,这表明CMOS晶体管有足
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:225280
提供者:
weixin_38747815
RF4CE射频遥控器的设计要点
无线通信产品一直朝着低成本、低消耗功率、小体积等趋势向前发展。短距离设备(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(图1)概念的推动下,带动了市场对射频芯片(RF IC)需求量的大增。射频收发器(TRX)要实现低功耗设计,低电压工作是必要条件。然而,电路效能与工作电压有关,如何兼顾效能与低功耗是一个很大的挑战。近年来,RF IC制作技术日新月异。高速、低功率元件更是众所瞩目之焦点。目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管,其fT值可达到60GHz,这表明CMOS晶体管有足
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:244736
提供者:
weixin_38519082
1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。 传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:395264
提供者:
weixin_38746387
一种适用于低电源电压下工作的折叠混频器
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分别为跨导
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-12
文件大小:313344
提供者:
weixin_38678406