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  1. 技术解析：CMOS电路ESD保护结构设计.docx

  2. 静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。本文论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38744270

  1. eetop.cn_ESD.pdf

  2. ESD设计介绍，静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。 它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半 导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管 能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-04-23
    • 文件大小：403456
    • 提供者：weixin_43283547

  1. 进口芯片替代芯片汇总-MS6002说明书V1.0.pdf

  2. 进口芯片替代芯片汇总-MS6002说明书V1.0.pdf3瑞盟科技 MS6001/2/4 电气参数 (若无特别说明,TA-25℃,VCC+-1.8V到5.5V,ⅤSS-GND,Ⅴ CM-VCC/2) 符号测。试条。件最小值。典型值最大值|单位 输入特性 输入失调电压 4.5 4.5 mv 输入失调电压平均 丿O +2 uVIC 温度配漂移系数 输入偏置电流 pA 输入失调电流 pA 输入共模电压范围 VCC+ ICR VSS-0.3 共模抑制比 -0.3V≤VCM5.3V CMRR 60 76

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：812032
    • 提供者：weixin_38744375

  1. CMOS电路ESD保护结构版图设计

  2. 毕业论文指导CMOS电路ESD保护结构版图设计

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-02-23
    • 文件大小：687104
    • 提供者：wz980060717

  1. CMOS电路中ESD保护结构的设计 要求

  2. 大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38522106

  1. 摄像头模组ESD保护模型分析与电路设计

  2. 本文的主要内容包括以下几个方面：(1)摄像头模组的ESD保护设计，主要从结构设计和电子设计两个方面来阐述，结构设计时主要对ESD敏感区的保护;电子设计时主要是对CMOS芯片的接口引脚进行保护。(2)人体模型的研究，主要讨论HBM(Human Body Model)的仿真模型的创建。(3)静电释放的波形仿真和实验, 主要讨论测试环境的建立，并对比目标和实际波形。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38677046

  1. CMOS电路中ESD保护结构的设计要求

  2. 大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-18
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38518074

  1. CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。（作者: 张伟 唐拓）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38592332

  1. CMOS电路ESD保护结构设计

  2. 静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 技术解析：CMOS电路ESD保护结构设计

  2. 静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38675232

  1. 模拟技术中的CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。     1 引言     静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38520258

  1. 摄像头模组ESD保护模型分析与电路设计

  2. 摄像头模组主要由镜头、滤色片、音圈马达、马达驱动、图像传感器等部件构成。图像传感器和音圈马达驱动都是CMOS半导体器件，对ESD(Electro-Static Discharge)非常敏感。本文的主要内容包括以下几个方面：(1)摄像头模组的ESD保护设计，主要从结构设计和电子设计两个方面来阐述，结构设计时主要对ESD敏感区的保护;电子设计时主要是对CMOS芯片的接口引脚进行保护。(2)人体模型的研究，主要讨论HBM(Human Body Model)的仿真模型的创建。(3)静电释放的波形仿真和实

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：498688
    • 提供者：weixin_38664556

  1. CMOS电路ESD保护结构设计

  2. 静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38548717

  1. CMOS电路ESD保护结构设计

  2. 摘　要:静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。 　　1　引　言 　　静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38641366

  1. CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。     1 引言     静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38607784

  1. CMOS电路的ESD保护结构设计

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。 1 引言      静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38672812