通过射频磁控溅射将纳米尺寸的CeO2点沉积在（001）LaAlO3衬底上。 在基板上加工出人造装饰缺陷之后，使用直流磁控溅射和后退火在其上生长100nm，150nm，200nm和400nm厚的Tl2Ba2CaCu2O8（Tl-2212）薄膜。过程。 AFM图像显示CeO2纳米点在基板表面上分布良好，直径为70 nm，高度为5 nm，纳米点的密度为25 +/- 3点/μm（2）。 SEM图像用于观察膜表面上的变化。 在具有纳米点装饰的衬底的Tl-2212膜和未处理的单晶LaAlO 3衬底上都测量了