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  1. 电沉积Cu(In,Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜及表征

  2. 电沉积Cu(In,Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜及表征,张治安 ,赖延清,在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜。采用X射线能量色 散
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-03
    • 文件大小:562176
    • 提供者:weixin_38752282
  1. In doping and post-treatment effect on holographic properties in In:Ce:Cu:LiNbO3 crystal

  2. In doping and post-treatment effect on holographic properties in In:Ce:Cu:LiNbO3 crystal,张涛,徐玉恒,A series of triply-doped In:Ce:Cu:LiNbO3 crystals with a varying level of In doping were grown by Czochraski technique in air atmosphere, and some samples
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-02
    • 文件大小:418816
    • 提供者:weixin_38734276
  1. Effect of dopants on magnetic properties of Cu-doped AlN nanorods

  2. Effect of dopants on magnetic properties of Cu-doped AlN nanorods,陈飞,季小红,The paper focuses on the influence of Cu doping on magnetic properties of Al1-xCuxN (0≤x≤0.05) nanorods. All AlN nanorods are highly textured in wurtzite structure with the c a
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-25
    • 文件大小:630784
    • 提供者:weixin_38544625
  1. 不同掺钠工艺对Cu(In,Ga)Se2薄膜电学、结构和形貌的影响

  2. 不同掺钠工艺对Cu(In,Ga)Se2薄膜电学、结构和形貌的影响,何静婧,刘玮,在柔性衬底上生长Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,Na的掺入会对薄膜的特性有重要的改善作用。不同的掺Na工艺对薄膜会产生不同的影响。实验中�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-23
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38553275
  1. Experimental determination of phase equilibria in the Ag-Cu-Sb ternary system

  2. Ag-Cu-Sb 三元系等温截面相图的实验测定,刘兴军,杨晓锋,本研究测定Ag-Cu-Sb 三元系300℃、500℃、600℃三个等温截面相平衡。采用真空电弧炉在纯氩气保护下熔炼了39个不同成分Ag-Cu-Sb系合金样品�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-21
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38731145
  1. In-situ Reduction Synthesis of Cu2O Quantum Dots Modifying g-C3N4 for Enhanced Photocatalytic Hydrogen Production

  2. 原位还原合成Cu2O修饰g-C3N4及其光催化制氢性能研究,陈杰,沈少华,本文采用原位还原法制备了一系列不同Cu含量的Cu2O 量子点负载g-C3N4光催化剂。并对其光电化学性质进行了表征(TEM, XRD, UV-vis, PL, XPS)�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-21
    • 文件大小:1029120
    • 提供者:weixin_38721691
  1. Short Range Order in Mg-Cu-Y Metallic Glass Thin Film and its Nano-crystallization Behavior above Tx

  2. Mg-Cu-Y金属玻璃薄膜的短程序结构及其在Tx温度之上的纳米晶化行为,吴戈,缪向水,利用磁控溅射方法,制备了具有较宽过冷液相区(?TX=57 K)、表面光滑(粗糙度Ra=0.485 nm)的Mg-Cu-Y金属玻璃薄膜。通过改变诸如溅射功率�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-20
    • 文件大小:1006592
    • 提供者:weixin_38600460
  1. Contrasting magnetoresistance caused by nano-nitride-layer doping at different interfaces in Cu/Co/Cu/Co/Cu structure

  2. 纳米氮化物在Cu/Co/Cu/Co/Cu不同界面掺杂对磁电阻影响的对比研究,赵遵成,王辉,本文研究了纳米氮化物在Cu/Co/Cu/Co/Cu不同界面掺杂对磁电阻的影响。当纳米氮化物在三明治Co/Cu/Co内界面掺杂时,反常磁电阻出现。相反�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-07
    • 文件大小:286720
    • 提供者:weixin_38554186
  1. Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究

  2. Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究,谭艳芳,潘勇,采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453、503和553 K分别进行t=20、40、60和90min的热处理。热处理后,在C
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-06
    • 文件大小:489472
    • 提供者:weixin_38544075
  1. B2-YX(X= Cu, Rh ,Ag, In)点缺陷结构及其基本物性计算

  2. B2-YX(X= Cu, Rh ,Ag, In)点缺陷结构及其基本物性计算,陈律,彭平,采用第一原理赝势平面波方法,计算了B2-YX (X= Cu, Rh ,Ag, In)金属间化合物的基本物性。通过对不同点缺陷结构形成热和形成能的计算与比�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-05
    • 文件大小:380928
    • 提供者:weixin_38697471
  1. 闪锌矿、纤锌矿及尖晶石结构Cu-In-S纳米晶的选择合成

  2. 闪锌矿、纤锌矿及尖晶石结构Cu-In-S纳米晶的选择合成,雷水金,汪春英,I-III-VI族多元硫属化合物是目前研究最广泛的功能半导体材料之一,其中,Cu-In-S化合物由于其在高效太阳能电池中的巨大应用潜力而备受
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38607552
  1. MySQL exists 和in 详解及区别

  2. MySQL exists 和in 详解及区别 有一个查询如下: SELECT c.CustomerId, CompanyName FROM Customers c WHERE EXISTS( SELECT OrderID FROM Orders o WHERE o.CustomerID = cu.CustomerID) 这里面的EXISTS是如何运作呢?子查询返回的是OrderId字段,可是外面的查询要找的是CustomerID和CompanyName字段,这两个字段肯定不在OrderI
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-16
    • 文件大小:56320
    • 提供者:weixin_38651286
  1. In3 +浓度对In:Fe:CU:LiNbO3晶体在532 nm波长下的光折射和散射特性的影响

  2. 通过Czochralski法在大气中生长了分别掺杂有Fe 2 O 3,CuO和各种In 2 O 3的LiNbO 3晶体。使用典型的两波耦合实验测量了在532 am波长处的光折变特性。同时,表征了光致散射的入射曝光能量通量阈值,以研究晶体的散射特性。结果表明,随着In3 +离子浓度的增加,响应时间缩短,记录灵敏度提高,光散射减小。然而,In 3+离子的掺杂导致衍射效率和增益系数的降低。因此,应在In:Fe:Cu:LiNbO3晶体中掺杂适当的In3 +离子浓度,以适应我们在绿光区光折变全息记录中的实
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:570368
    • 提供者:weixin_38500734
  1. CU-Timetable:美化(并使可读)我的大学绝大多数信息密集时间表的脚本-源码

  2. CU时间表 一个简单的脚本来美化(并使可读)我大学的绝大多数信息密集的时间表。 问题 CUIMS(大学网站)上提供的时间表非常含糊。 他们看起来像这样: 看! 您甚至没有得到课程名称,而是获得了课程ID。 然后,您必须从图片底部的表中找到课程名称。 当然,人们很快就会学会用老师的名字来识别课程,但这仍然很不方便。 解决方案 基本上,使用此脚本,您可以将原始时间表转换为Google表格: 然后,您可以截取的屏幕截图并将其裁剪以最终得到此结果: 比原始版本更容易访问-很好。 甜的! 怎么跑?
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-15
    • 文件大小:253952
    • 提供者:weixin_42120550
  1. 通过热裂解Selenium的在线蒸发Craft.io在聚酰亚胺薄膜上制备Cu(IN,GA)SE2薄膜和模块

  2. 通过热裂解Selenium的在线蒸发Craft.io在聚酰亚胺薄膜上制备Cu(IN,GA)SE2薄膜和模块
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-15
    • 文件大小:634880
    • 提供者:weixin_38722184
  1. Al2)3背界面层对超薄Cu(In,Ga)Se2太阳能电池低温度生长的影响

  2. Al2)3背界面层对超薄Cu(In,Ga)Se2太阳能电池低温度生长的影响
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-15
    • 文件大小:874496
    • 提供者:weixin_38592847
  1. Molybdenum thin films fabricated by rf and dc sputtering for Cu(In,Ga)Se2 solar cell applications

  2. Molybdenum (Mo) thin films, most commonly used as electrical back contacts in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells, are deposited by rf and dc magnetron sputtering in identical systems to study the discrepancy and growth mechanisms of the two sputtering t
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:456704
    • 提供者:weixin_38677234
  1. 生长温度和厚度对Cu(In,Ga)Se2薄膜取向的影响

  2. 生长温度和厚度对Cu(In,Ga)Se2薄膜取向的影响
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:270336
    • 提供者:weixin_38628552
  1. Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

  2. 本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:377856
    • 提供者:weixin_38516658
  1. Highly surface-textured and conducting ZnO:Al films fabricated from oxygen-deficient target for Cu(In, Ga)Se2 solar cell

  2. Highly conducting ZnO:Al (AZO) films are normally prepared through substrate heating and post-annealing in reducing atmosphere, which is deleterious to maintain the high transparency of films and the overall so-lar cell performance. Here we fabricate
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-05
    • 文件大小:743424
    • 提供者:weixin_38629206
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