利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明,红光AlGaInP LED芯片的发光强度高于黄绿光,其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率,从而导致较低的发光强度。本研究为今后LED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。