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  1. DDR SDRAM的写操作

  2. DDR SDRAM的写操作如图所示。仍然是与同步DRAM相同，瞪着ACT指令的发出而发出WRITE指令。但DDR－SDRAM数据不是与WRITE指令同时发出的，而是在一个时钟后赋予数据，这是与同步DRAM的不同之处。 　　图 DDR－SRAM的写操作 　　另外，DDR－SDRAM锁存数据的时序不是利用CLK，而是利用DQS信号。在DRAM控制器端确定数据后等待若干个延迟时间，选通DQS。而DDR SDRAM端则在该变化沿处锁存数据。 　　进行读操作时，DDR SDRAM输出的DQS具有与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38747444

  1. DDR－SDRAM的操作

  2. DDR SDRAM的读操作如图所示。发出ACT指令后，只经过tRCD时间后发出所要进行的READ指令，这一流程是与同步DRAM相同的，是与CLK的上升沿同步进行的。从图中我们可知道，之后的数据传输是以2倍的速率进行的。               图 DDR SDRAM的读操作 　　由于可以利用1／2时钟，所以CAS延迟时间也不只是整数值，也有＋0.5的取值。该图中的操作实例的CAS延迟时间为2.5。 　　如图所示，DDR－SDRAM与数据一起驱动DQS信号，DQS与数据一起变化，所以主

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38598745

  1. DDR－SDRAM的信号

  2. DDR SDRAM的信号例如图1所示，在这里，作为4M×16位×4块结构的256M位的DDR SDRAM，我们以ELPIDA公司（NEO与日立的合资公司）的HM5425161B为例进行说明。在同步DRAM的基础上添加的信号标注了※符号，与DRAM控制器的连接如图2所示。首先我们针对这些信号进行说明。 　　图1 DDR－SDRAM的信号 　　图2 DDR－SDRAM的连接 　　1.  CLK（反相时钟） 　　同步DRAM只有一个时钟输入，与上升沿同步进行操作，而DDR－SDRAM同时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38548231

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的直接总线式DRAM的信号连接

  2. Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的。 　　图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系 　　异步DRAM、同步DRAM以及DDR－SDRAM等无论哪个输出都是有极性输出，是属于在高电平时驱动高电平的机制，而Direct Rambus DRAM利用漏极开路输出，可以对应于快速操作。 　　另外，采用2个系统时钟是处理时钟相位偏移的对策，DDRSDRAM利用双向的选通信号实

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38519082

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的直接总线式DRAM的信号

  2. 作为Direct Rambus DRAM，我们以NEC（现在的ELPIDA公司）的pPD488448为例进行说明。该DRAM的结构为8M字×16位×32块。与DDR SDRAM等相比较，采用较多的存储块是Direct Rambus DRAM的特征之一。内部框图如图1所示，是相当复杂的，这也是成本提高的一个因素。 　　图1 μPD488448的信号配置（俯视图） 　　信号配置如图1所示，以前的DRAM大多采用TSOP等封装，而Direct Rambus DRAM采用BGA封装。 　　Dir

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：180224
    • 提供者：weixin_38734008