图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线借助寄生电容，即使将预充电开关设置为OFF，数据线的电压也会保持预充电电压（当然，由于存在漏电流因而会逐渐下降）。这样的操作称为预充电。          图 DRAM的读取（预充电） 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

DRAM单元部分的布线如图所示，具有用于单元选择的字线，并且各个单元与数据线相连。数据线通过列选择开关或者通过预充电开关分别与公用数据线或者预充电电源相连接。预充电电源的电压大多采用器件电源电压一半左右的电压值。 　　 图 DRAM的基本结构 　　数据线上具有读出放大器，在这里对数据线上的状态“1”／“0”进行判定以及放大数据线上的电压电平。  　　图中虚线表示的电容器符号是数据线的寄生电容，正如后面将要叙述的那样，在读出DRAM上的数据时，这个寄生电容具有较大的作用。  　　下面我们来

只要完成了预充电，预充电开关就处于OFF状态。之后，选择数据线，一旦FET为ON，特定单元的电容器与寄生电容则形成并联的格局，这样，根据数据的“1”／“0”，预充电电压可进行高低调整。这样的变化并不是很大，所以利用读出放大器进行放大。 　　读出放大器与其说它是类似音频放大器之类的器件，不如说它类似数字IC的缓冲器更容易理解。以预充电电压为基准，根据电压的高低确定输出是高电平还是低电平。图表示这一过程。 图 DRAM的读取（数据的提取与放大） 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.