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  1. Direct bandgap photoluminescence from n-type indirect GaInP alloys

  2. This work studies Te doping effects on the direct bandgap photoluminescence (PL) of indirect

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：940032
    • 提供者：weixin_38571878