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  1. EDA/PLD中的日本:NEC开发成功1亿门单元基LSI

  2. NEC电子设备部开发成功CB-90系列单元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm,采用栅长0.06μm的CMOS方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基LSI是:高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它们的内部工作频率分别为500MHz~1GHz。最高频率为500MHz、最低为150MHz。  高集成度型CB-90M的逻辑门数最多达到1亿门。高速型CB-90H的门延迟时间为10.2ps(2个输入NAND门,扇出数为2)。低功耗型CB-90L的功耗为2.7nw(每1
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-08
    • 文件大小:43008
    • 提供者:weixin_38586118