摘　要：文章中提出了一种应用于FPGA 的嵌入式可配置双端口的块存储器。该存储器包括与其他电路的布线接口、可配置逻辑、可配置译码、高速读写电路。在编程状态下，可对所有存储单元进行清零，且编程后为两端口独立的双端存储器。当与FPGA 其他逻辑块编程连接时，能实现FIFO 等功能。基于2.5V 电源电压、chart 0.22 μm CMOS 单多晶五铝工艺设计生产，流片结果表明满足最高工作频率200MHz，可实现不同位数存储器功能。 　　1 引言 　　对于逻辑芯片的嵌入存储器来说，嵌入式SRAM

SRAM和ROM的主要区别在于RAM描述上有读和写两种操作，而且在读写上对时间有较严格的要求。 　　【例】 用VHDL设计一个8×8位的双口SRAM的VHDL程序，并使用MAX+p1us Ⅱ进行仿真。 　　仿真结果如图所示。 　　如图 读写存储器DPRAM仿真图　　  来源:ks99

半导体存储器的种类很多，从功能上可以分为只读存储器（READ_ONLY MEMORY，简称ROM）和随机存储器（RANDOM ACCESS MEMORY，简称RAM）两大类。 　　只读存储器在正常工作时只能读取数据，不能快速地修改或重新写入数，适用于存储固定数据的场合。 　　【例】 用VHDL设计一个容量为256×4的ROM，该ROM有10位地址线ADDR（9）～ADDR（0），8位数据输出线DOUT（7）～DOUT（0）及时钟使能信号CLK，并使用MAX+p1us Ⅱ进行仿真。