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EDA/PLD中的FinFET技术面临的挑战与发展前景
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比,FinFET器件可以提供更显着的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术,同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势,但也带来了一些新的设计挑战,它的成功,将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。 FinFET器件是场效应晶体管(FET),名字的由来是因为晶体管的栅极环绕着晶体管的高架通道,这
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:83968
提供者:
weixin_38609913