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  1. EXB841详细的中文资料IGBT混合IC驱动器

  2. EXB841详细的中文资料IGBT驱动器，该文档给出了详细的应用示例！

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-07-07
    • 文件大小：134144
    • 提供者：zhenshijinsheng

  1. HL402B可弥补EXB841及M57962AL缺陷

  2. 新型igbt驱动芯片，完善的保护，性能优于进口同类产品

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-08-14
    • 文件大小：31744
    • 提供者：JUICE189

  1. IGBT各类驱动芯片

  2. 相当齐全的IGBT驱动，希望对各位有用 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点，应用于不同的场合，也有一定的局限性.....

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-08-19
    • 文件大小：24576
    • 提供者：gaoyubin8

  1. EXB841中文资料+

  2. EXB841中文资料+EXB841中文资料+EXB841中文资料+EXB841中文资料+EXB841中文资料+

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2009-09-03
    • 文件大小：134144
    • 提供者：strongaa

  1. 基于EXB841的IGBT驱动电路设计及优化

  2. 本文在对EX481 器件的驱动要求进行深入的分 析之后$详细地研究了 IGBT的工作原理$并且指 出了存在的诸如过流保护无自锁功能等一系列问 题$再结合这些问题设计了驱动电路并对其进行了优 化! 经仿真和实际电路试验证明$所设计的电路完 全可以对EX481进行有效的驱动控制和过电流保护

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-12-24
    • 文件大小：290816
    • 提供者：qianzhihe110

  1. 基于单片机高性能可调直流稳压电源的设计

  2. 摘要：本文介绍一种基于单片机高性能可调直流稳压电源的设计，该设计主要分为主电路与控制电路。其中主电路包括：采用二极管组成的三相桥式不可控整流电路；采用新一代开关元件—绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关功率管的降压斩波电路即稳压电路；电容滤波电路。控制电路采用AT89C51单片机经过软件程序编程生成PWM波，它作为IGBT驱动电路EXB841的输入信号，实现对IGBT器件的导通关断控制；AT89C51通过反馈电压与所需基准电压比较调制PWM波，即改变占空比，从而实现高性能可调直流稳压。 我利用自己

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-04-27
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：dd20009

  1. IGBT的一点简单资料

  2. 关于IGBT的讨论，中文版。IGBT的基本结构，工作原理和工作特性，擎住效应和安全工作区，驱动与保护技术，集成驱动电路exb841,EXB841原理分析及其典型电路，IGBT使用的注意事项。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-06
    • 文件大小：743424
    • 提供者：jiang476412024

  1. 基于EXB841的IGBT驱动电路设计

  2. 设计了基于EXB841的驱动电路，结合实际运行过程中出现的故障，不断调整电路，最终完善了IGBT的驱动与保护性能，具有很好的实用性。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-10
    • 文件大小：352256
    • 提供者：xiaoding0606

  1. EXB841的资料，及管脚说明。

  2. EXB841的datasheet，管脚说明等一些资料。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-02
    • 文件大小：77824
    • 提供者：zuoshouge2009

  1. exb841驱动 exb841驱动

  2. exb841exb841驱动 exb841驱动

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-09
    • 文件大小：529408
    • 提供者：ljhmxcz

  1. IGBT驱动模块的研究

  2. 介绍了IGBT的驱动特性，对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究．根据EXB841在应用中存在的问题，提出了一种优化设计电路．并介绍了IGBT与M57962AL两种驱动模块的优缺点．

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-05-09
    • 文件大小：264192
    • 提供者：janly229

  1. IGBT+驱动保护电路EXB841的应用研究

  2. IGBT+驱动保护电路EXB841的应用研究

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-12
    • 文件大小：198656
    • 提供者：ahaii

  1. 浅析各种IGBT驱动电路和IGBT保护方法.pdf

  2. 保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护，包括驱动电路EXB841/840、M57959L/M57962

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：405504
    • 提供者：weixin_38743481

  1. IGBT驱动模块的分析

  2. IGBT驱动模块的分析，张明，，本文介绍了IGBT对驱动电路的要求，对IGBT的专用集成驱动芯片EXB841和2SD315A的工作原理进行了分析与比较。EXB841具有隔离强度高、反应速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-19
    • 文件大小：398336
    • 提供者：weixin_38620099

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. IGBT驱动电路部分元件资料

  2. 主要有英飞凌的IGBT,EXB841,M57962L,MUR1100E等电子元件的PDF和jpg格式的内部原理图。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-02-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：faith007lsd1

  1. 一种新型瞬变电磁仪发射电路设计

  2. 为提高瞬变电磁仪测量的准确度,设计了基于FPGA的瞬变电磁仪发射电路。该电路采用EXB841模块设计驱动电路,实现对H桥路上下臂MOSFET的有效驱动;利用改进的H桥路设计及改变传统桥路的控制策略,实现对MOSFET的超短时间关断;采用RCD吸收保护电路降低尖峰电压干扰,改善发射电路输出波形。试验结果表明,该发射电路的发射信号过压仅为正常信号的1.33倍,振荡时间为500ns,下降沿时间为700ns,实现了发射电流的快速关断,且稳定性好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-23
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38719635

  1. EXB841内部稳压管易损坏的原因分析

  2. EXB841内部稳压管易损坏的原因分析,EXB841内部稳压管易损坏的原因分析,

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2011-07-04
    • 文件大小：117760
    • 提供者：e21702924h

  1. 基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究

  2. 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38596093

  1. HL402B可弥补EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驱动器

  2. 摘 要:本文分析对照了IGBT驱动器HL402B与EXB841与M57962AL的参数、性能，最后得出结论HL402B是性能最优的IGBT驱动器。1 引 言绝缘栅控双极型晶体管IGBT(Insolate Gate Bipolar Translator)因具有输入阻抗高、驱动电流小、输出压降低、工作频率高、兼有巨型晶体管GTR和场效应晶体管MOSFET的优点。而扬弃了他们的缺点，所以倍受电力电子行业的青睐，在国内外获得了极为广泛的应用，IGBT应用的关键问题是其驱动电路和保护电路的合理设计，IGB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38638004
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