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  1. Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma implantation

  2. Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma implantation

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：653312
    • 提供者：weixin_38576922