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  1. F理论和750 GeV双光子中的类矢量外来物

  2. ATLAS和CMS实验发现，近750 GeV的双光子事件过剩，这可能暗示着TeV尺度周围存在与单线态耦合的新的类似矢量的带电物质。 当GUT对称性扩展为U（1）对称性（MSSM的希格斯场不像矢量一样）时，在某些类别的具有超荷通量的F理论GUT中不可避免地会出现这样的外来光谱。 在U（1）对称下，外来物体不是矢量状的，因此其质量自然与其断裂尺度有关。 以前，该比例尺被认为接近GUT比例尺，这导致了质子衰减，μ项幅值和太大的R奇偶性违规而引起的张力。 750 GeV的剩余量为考虑打破TeV规模附近

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-19
    • 文件大小：391168
    • 提供者：weixin_38506138

  1. F理论GUT中的E 6过量750 GeV双光子

  2. 我们将750–760 GeV双光子共振解释为单峰超场的一个或多个无旋分量，这是由F理论中E6的三个27维表示所产生的，其中还包含三重三联体电荷∓1/ 3 矢量态费米子Di，Déi和惰性希格斯双峰可能与单峰耦合。 为了确定性，我们考虑（不做任何更改）前一段时间提出的模型，其中包含此类状态以及大量外来物，从而导致规范耦合统一。 该模型对吸烟枪的预测是存在其他类似的无旋转共振，质量可能接近750–760 GeV，并衰减成双光子，以及三个类矢量费米子Di，Di。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-26
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38591291

  1. F理论启发下的双光子共振翻转SO（10）

  2. 根据ATLAS和CMS实验报告的750 GeV的双光子过量，我们提出了F理论启发的E6中嵌入的翻转SO（10）模型。 低能谱包括三个MSSM手性族，类矢量三色态，几对带电SU（2）L单重态场（Ec，E¯c）以及MSSM单重态，其中一个或多个可能有助于 双光子共振。 多GeV范围内的总衰减宽度可能来自涉及单重态和MSSM的耦合

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-22
    • 文件大小：634880
    • 提供者：weixin_38729607

  1. 来自D3膜的750 GeV双光子

  2. 基于最近报道的CMS和ATLAS观测到的在750 GeV处的双光子过量，我们研究了可适应该信号的基于字符串的粒子物理模型。 非常值得注意的是，尽管F理论中的大统一理论倾向于对候选的额外扇区施加严格的限制，但在E型汤河点附近的D3探测探针的情况自然会导致一类能够耦合观测到的强耦合模型。 签名。 在这些模型中，可见部分是

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-21
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38711778

  1. 安川变频器L1000A系列产品样本（中文版）.pdf

  2. 安川变频器L1000A系列产品样本（中文版）pdf,安川变频器L1000A是电梯最佳的解决方案：1)最先进的电机驱动技术：实现对所有电机的控制，无论是感应电机或是同步电机(IPM电机/SPM电机)都能实现高性能的电流矢量控制;实现感应电机、同步电机用的变频器库存的通用化；可以通过参数设定，切换感应电机和同步电机；1.5~110KW的大容量范围，可以用于各种电梯用途。2)高性能电流矢量控制和丰富的编码器接口：高性能电流矢量控制，实现高起动转矩；备有驱动各种电机用编码器的选购卡；V/f控制，无PG矢

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 基于simsolid的自动扶梯分段桁架强度计算.pdf

  2. simsolid在自动扶梯分段桁架强度计算中的应用1背景 臼动扶梚桁架作为自动扶梯的主要承载构件,对维持扶梯的正常运转、保障乘客安全具 有重大意义。国家标准对其强度设计有明确的技术要求:自动扶梯或自动人行道支撑结构设 计所依据的载荷是自动扶梯或自动人行道的自重加上5000N/m的载荷。根据5000/m的载荷 计算或实测的最大挠度,不应大于支承距离的1/750。 行业内提升高度大」6米的扶梯,考虑制造和运输的方使性,一般将扶棁桁架分段设计, 这就需要额外校验分段连接结构的强度。以往计算这类桁架通常

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2019-07-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：ieuuihc

  1. 小尺寸硅绝缘体光波导损耗测量

  2. 基于法布里珀罗(F-P)腔理论建立了一种简单有效的硅绝缘体(SOI)光波导损耗测量方法。该方法采用端面耦合，通过测试波导反射功率谱并利用傅里叶频谱信息，完成波导损耗的测量。推导中指出了无法直接利用反射谱F-P峰峰谷值求解损耗的限制因素。应用该方法实现了对刻蚀深度为750 nm和宽度为1200 nm的SOI脊形波导损耗的测量，表明该测量方法能够对小尺寸、低损耗波导实现较高精度的损耗测量。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38644599