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资源分类
搜索资源列表
stm8FLASH底层擦写函数
STM8A的FLASH底层驱动程序,包括擦写读等
所属分类:
Flash
发布日期:2011-03-24
文件大小:5120
提供者:
Superzhuhit
基于MSP430的flash擦除读写操作代码
基于MSP430的flash擦除读写操作代码 对AT45DB161D的整扇擦除,对单独页得擦除 写主存 写缓冲区 读主存 读缓冲区
所属分类:
C
发布日期:2011-05-13
文件大小:43008
提供者:
yongli_forever
TI版本的cc2530 flash擦写程序
本压缩包原型是TI提供的cc2530 flash擦写程序,此压缩包只是调整了格式,更容易阅读与理解,里面的PDF文档时对程序的说明。
所属分类:
C
发布日期:2011-12-28
文件大小:79872
提供者:
sygdp21
stm32内部flash读写程序
此文件为stm32平台文件,实现功能:擦出stm32f103 flash的第255页,然后写入一整字型数据,读出进行校验是否正确写入。注意:在stm32flash操作时,必须保证内部告诉晶振开启。此文件在 keil环境编译后少些进stm32f103zet后,经jlink仿真,正确执行。欢迎下载
所属分类:
C
发布日期:2012-03-23
文件大小:2048
提供者:
my_friend_ship
AVR flash读写
在C语言中读写flash /*擦除(code=0x03)和写入(code=0x05)一个Flash页*/ void boot_page_ew(long p_address,char code) { asm("mov r30,r16\n" "mov r31,r17\n" "out 0x3b,r18\n"); /*将页地址放入Z寄存器和RAMPZ的Bit0中*/ SPMCSR=code; /*寄存器SPMCSR中为操作码*/ asm("spm\n"); /*对指定Flash页进行操作 */ }
所属分类:
C
发布日期:2012-03-31
文件大小:2048
提供者:
hdyangqy
TI官方2833xflash擦写api文档与库安装文件
TI的官方2833x系列dsp内部flash擦写api的压缩包,包含PDF文档和api的lib安装文件。是用C语言的,好好看文档,还是一个比较重要的功能。
所属分类:
C
发布日期:2012-12-15
文件大小:710656
提供者:
ajzcr
C8051F120 Flash 擦写读等操作子程序
适用于C8051F12X 13X系列单片机
所属分类:
C
发布日期:2013-12-13
文件大小:5120
提供者:
bywith777
cortex M3内部flash读写驱动
基于stm32固件库,comtex m3 内部flash读写驱动,对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则; 闪存的读写涉及一个概念,字(Word)32bit和半字(HalfWord)16bit,虽然STM32 FLASH也是由字节组成,但STM32 FLASH的编程每次都是以16bit半字为单位,且FLASH地址必须为偶数,否则会出错。读写操作之前需要解除相应的读写保护,同时操作完成再上锁。
所属分类:
C
发布日期:2014-04-18
文件大小:3072
提供者:
liuqiaoping9
R8C系列R5F211B4源程序
所有程序均为原创,应用Renesas R8C系列R5F211B4单片机。具有在线擦写FLASH升级,看门狗,串口,中断,定时器,同时可计量电表AD71056。 由于本人在开发中,几乎搜索不到相关可以参考的代码,所以特传上来,希望对有用到此款MCU的人士有所帮助。
所属分类:
C
发布日期:2014-06-10
文件大小:32768
提供者:
zhao1223
提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法
提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法,让你运用MSP430G更加的自如、洒脱
所属分类:
电子政务
发布日期:2014-10-11
文件大小:560128
提供者:
dreamysxw
STM32下FatFs的移植,实现了擦写均衡,坏块管理,硬件ECC,ECC纠错
在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 。 特点: 系统配合 FatFs 实现了擦写均衡,坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错
所属分类:
其它
发布日期:2016-11-26
文件大小:1048576
提供者:
chatwithyou2008
MPC5748G flash擦写例程
MPC5748G flash擦写例程 ,工程是greenhill ,有兴趣的可以下载看看
所属分类:
C
发布日期:2018-05-30
文件大小:677888
提供者:
liu25xiang
PIC24F64GA705FLASH读写操作
PIC24F64GA705FLASH读写操作,,编程语言为C语言,可进行8位数据擦写操作
所属分类:
C
发布日期:2018-06-23
文件大小:2048
提供者:
weixin_34236019
提高FLASH擦写次数的方法
使用MSP430G系列单片机提高对外部FLASH擦写次数的方法
所属分类:
其它
发布日期:2018-11-16
文件大小:550912
提供者:
qq_41938191
FLASH擦写程序.zip
《MSP430系列单片机实用C语言程序设计》附带程序 FLASH擦写程序.zip
所属分类:
其它
发布日期:2019-05-31
文件大小:12288
提供者:
qq_42747476
基于FPGA的flash读写控制
基于FPGA的flash读写控制,包括擦除(格式化),写数据和读数据,使用Verilog HDL描述。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2012-08-17
文件大小:6144
提供者:
jackinzhou
NRF51822的flash读写操作.pdf
nrf51822 CPU片内FLASH读写操作说明,擦除,读写,中文翻译资料,带源代码说明,资料非常详细,学习资料。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-06-15
文件大小:220160
提供者:
keypad1
提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的方法
在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:465920
提供者:
weixin_38693720
提高MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命方法
本文从软件方面,以及安全性方面探讨了使用MSP430G 系列单片机在使用Flash 模拟EEPROM方面的应用,提供了两种不同的方式供选择。两种方式都可以大幅度提高模拟EEPROM 的编写、擦除寿命,并且满足高可靠性的应用设计,用户可以结合具体的应用进行选择。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-28
文件大小:289792
提供者:
weixin_38633967
用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写
1引言 在DSP系统的设计中,经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据,如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中,从而节省DSP芯片内部的存储器资源。在实际应用中,片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。RAM数据掉电即丢失,不适合长期保存数据。对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据,如字模数据、端口地址等时,通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。使用片外 FLASH必须要解决对其擦写的问题。 在
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-08
文件大小:99328
提供者:
weixin_38665944
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