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搜索资源列表

  1. FM25V02 驱动程序

  2. (1) 本程序为铁电存储器FM25V02(32K x 8 bits)驱动. (2) 使用的是NXP的LPC2387的ARM7平台. (3) 本驱动程序也可适用于FM25V05, FM25V10, FM25H20等SPI型铁电存储器,只需要修改地址范围部分即可. (4) 由于本驱动使用的是LPC2387的硬件SPI接口,因此要移植到其它的硬件平台,需要修改其SPI部分的程序.

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-26
    • 文件大小：103424
    • 提供者：ningzhiqiangqq

  1. FM25H20读写程序

  2. 通过SPI总线对FM25H20进行读写的程序，已经用C80581F020调试通过，本程序同样适合TI的flash芯片，端口请自行配置。交流可加群19481784

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-03-11
    • 文件大小：3072
    • 提供者：yz10011216

  1. FM25H20驱动程序

  2. 基于stm32F4平台的FM25H20驱动程序，SPI是IO模拟的

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-02-11
    • 文件大小：2048
    • 提供者：zhuyiwu

  1. C8051 SPI Ｃ程序

  2. FPGA 和ＭＣＵ的并口通信　及ＭＣＵ和Ｅ２ＰＲＯＭ(FM25H20)SPI通信　　　 功能：ＦＰＧＡ对ＭＣＵ的写（ＦＰＧＡ发给ＭＣＵ的地址是写进Ｅ２ＰＲＯＭ的地址　，Ｅ２ＰＲＯＭ中的数据是　　　　　　ＦＰＧＡ发送的数据。） 　　　　ＦＰＧＡ对ＭＣＵ的读（ＦＰＧＡ读取它发给ＭＣＵ在Ｅ２ＰＲＯＭ中存取的数据）

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-11-27
    • 文件大小：2048
    • 提供者：jianwufeng26

  1. 首款2兆位串行F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38527987

  1. Ramtron推出2兆位串行F-RAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出业界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存储器，采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。FM25H20 采用先进的130纳米 (nm) CMOS工艺生产，是高密度的非易失性F-RAM存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (SPI)。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38711333

  1. stm32_fm25h20.zip

  2. stm32开发板的铁电fm25h20驱动程序

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2021-01-14
    • 文件大小：2048
    • 提供者：kuanye345

  1. fm25h20_flash.zip

  2. 铁电fm25h20驱动

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2021-01-14
    • 文件大小：952
    • 提供者：kuanye345

  1. 铁电手册FM25H20技术手册

  2. 铁电flash FM25H20 技术手册

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-14
    • 文件大小：640000
    • 提供者：kuanye345