采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但问题是如何实现DDR3 SDRAM DIMM与FPGA的接口呢？ 　　关键词——均衡！ 　　如果没有将均衡功能直接设计到FPGA I/O架构中，那么任何设备连接到DDR3 SDRAM DIMM都将是复杂的，而且成本还高，需要大量的外部元器件，

DDR3 SDRAM内存的总线速率达到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何实现FPGA和DDR3 SDRAM DIMM条的接口设计呢？　　　　关键字：均衡（leveling）　　如果FPGA I/O结构中没有包含均衡功能，那么它与DDR3的连接将会很复杂，需要有很多外围器件包括延迟线及相关控制。均衡的定义和重要性　　为了提高高速电路的

本设计以对大量实时采集数据进行缓存为背景，硬件采用Micron公司的1GB SODIMM DDR3 和Kintex-7系列FPGA的片上FIFO，软件通过研究DDR3的基本工作原理编写用户接口模块，同时结合片上FIFO的控制模块完成异步FIFO缓存系统的设计，通过改变异步FIFO的读写时钟就可以实现数据的跨时钟域传输。该设计通过VivadoChipscope进行调试和检测，测试显示：基于DDR3 SDRAM的FIFO实现了最高480M的数据传输率，64~512位的总线宽度，容量最大为1 GB，说

DDR3 SDRAM内存的总线速率达到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何实现FPGA和DDR3 SDRAM DIMM条的接口设计呢？　　　　关键字：均衡（leveling）　　如果FPGA I/O结构中没有包含均衡功能，那么它与DDR3的连接将会很复杂，需要有很多外围器件包括延迟线及相关控制。均衡的定义和重要性　　为了提高高速电路的