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搜索资源列表

  1. CMOS and FinFET introduction

  2. Introduction of FINFET and CMOS

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2014-07-22
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：tjerry111

  1. 三栅FinFET电学特性仿真分析与研究

  2. 有关三栅FinFET电学特性仿真分析与研究，长篇论文

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-04-20
    • 文件大小：16777216
    • 提供者：xuejay007

  1. FinFET-and-other-New-Transistor-Tech-Hu

  2. FinFET-and-other-New-Transistor-Tech-Hu，FinFET技术说明文档。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-09-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：washingtonxr

  1. FinFET对动态功耗的影响

  2. 现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管，这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-01
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38611812

  1. FinFET-1.rar TOP1000的专利 pdf 打包

  2. FinFET TOP1000的专利 pdf 打包，共3个包 栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法 Integrated circuit device and method of fabricating the same Semiconductor device 一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元 Hardmask stress, grain, and structure engineering for advanced memory applications

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-10-11
    • 文件大小：618659840
    • 提供者：weixin_44035342

  1. FinFET-3.rar TOP1000的专利 pdf 打包

  2. FinFET TOP1000的专利 pdf 打包，共3个包 栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法 Integrated circuit device and method of fabricating the same Semiconductor device 一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元 Hardmask stress, grain, and structure engineering for advanced memory applications

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-10-11
    • 文件大小：348127232
    • 提供者：weixin_44035342

  1. FinFET-2.rar TOP1000的专利 pdf 打包

  2. FinFET TOP1000的专利 pdf 打包，共3个包 栅指渐宽式GaN FinFET结构及其制备方法 Integrated circuit device and method of fabricating the same Semiconductor device 一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元 Hardmask stress, grain, and structure engineering for advanced memory applications

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-10-11
    • 文件大小：356515840
    • 提供者：weixin_44035342

  1. EDA/PLD中的FinFET技术面临的挑战与发展前景

  2. FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显着的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，它的成功，将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。 　　FinFET器件是场效应晶体管（FET），名字的由来是因为晶体管的栅极环绕着晶体管的高架通道，这

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38609913

  1. 集成电路中的FinFET推动更明智的物理IP选择

  2. 半导体行业目前面临集成电路（IC）制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高 IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺，因为相比较20nm的平面型晶体管，它们可以提供更高的性能。 　　通过提高载流通道，可从门控的三面对其进行环绕，从而使门控展现出更强的静电控制。这克服了导致过多漏电流的短通道效应以及使用大量硅片制造的纳米平面型晶体管所产生的其他问题。 　　图1 更好地说明了频率范围内的漏电流控制

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38743235

  1. Mentor工具通过TSMC16奈米FinFET+制程认证

  2. Mentor Graphics公司宣布，基于台积电（TSMC）的 SPICE 模拟工具认证程序，Analog FastSPICE （AFS）平台（包括 AFS Mega 及 Eldo）通过了16奈米FinFET+V0.9 制程认证。V1.0 的认证正进行中，将于2014年11月完成。 　　“Mentor的 Analog FastSPICE 平台、 AFS Mega 和 Eldo 已成功达到16奈米FinFET+技术的精密度和兼容性要求。采用TSMC16奈米FinFET+技术，客户可通过精确的验

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38502290

  1. 隧穿双栅极MOSFET（T-FinFET）的有效迁移模型

  2. 隧穿双栅极MOSFET（T-FinFET）的有效迁移模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：971776
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究

  2. 绝缘体上硅FinFET亚阈值摆幅研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：578560
    • 提供者：weixin_38609128

  1. 神经网络方法模拟纳米级FinFET性能

  2. 神经网络方法模拟纳米级FinFET性能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38713393

  1. 通过神经网络方法对纳米级FinFET性能进行建模

  2. 通过神经网络方法对纳米级FinFET性能进行建模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38537777

  1. FinFET中沟道电场分布的解析模型

  2. FinFET中沟道电场分布的解析模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：393216
    • 提供者：weixin_38670529

  1. 在FinFET逻辑门的设计中采用混合FBB / RBB

  2. 在FinFET逻辑门的设计中采用混合FBB / RBB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：525312
    • 提供者：weixin_38642864

  1. 通过Craft.io诱导的T-FinFET和紧凑型增强移动性

  2. 通过Craft.io诱导的T-FinFET和紧凑型增强移动性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：884736
    • 提供者：weixin_38628926

  1. 通过Craft.io诱导应力和紧凑模型开发增强T-FinFET迁移率

  2. 通过Craft.io诱导应力和紧凑模型开发增强T-FinFET迁移率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38570854

  1. 氮化镓栅极FinFET的特性和阈值电压模型

  2. 氮化镓栅极FinFET的特性和阈值电压模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38621312

  1. 基于物理模型来预测FinFET的性能下降，并考虑到由于热载流子注入引起的界面状态分布效应

  2. 基于物理模型来预测FinFET的性能下降，并考虑到由于热载流子注入引起的界面状态分布效应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：866304
    • 提供者：weixin_38646706
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