MKT平台功能模块架构图 一、FLASH电路 FLASH信号作用描述 数据总线：ED0－ED15，共16根数据线，用于传输数据。 地址总线：EA00－EA23，共24根地址线，用于存储单元寻址。 控制总线： /ERD：写控制信号； /EWR：读控制信号； /WATCHODG：复位信号，用于FLASH的软件复位； /CE_F1、/CE_F2：FLASH存储区域选择信号； /ECS1_PSRAM：PSRAM片选信号； /ELB、/EUB：PSRAM存取区域选择信号； 电源供电信号：VMEM。 存储

Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。也就是说以区块是Flash 擦除的最小单位。 　　●执行 1-KB 页的擦除 　　执行 1KB 页的擦除步骤如下： 　　(1) 将页地址写入FMA 寄存器 　　(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。 　　(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。 　　如图 3 所示： 图3 执行1