注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究

  2. 利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：880640
    • 提供者：weixin_38747216