由内在点缺陷（Ga和As的空位，Ga和As的反位，Ga和As的间隙）引起的GaAs中原子构型的变化，首先是通过平面波伪势方法在框架中采用广义梯度近似来计算的。密度泛函理论，并获得最稳定的结构。 然后，计算每种天然缺陷的形成能，从而分析在晶体生长期间形成六种点缺陷的可能性。 从状态密度的角度分析了与每种自然点缺陷相对应的缺陷能级及其电子占有率。 最后，计算了具有自然点缺陷的GaAs可饱和吸收剂的弹性常数，并研究了自然点缺陷对GaAs可饱和吸收剂的弹性性能的影响。 所获得的缺陷能级的值将有助于确定G