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  1. 一种用于射频和微波测试系统的GaAsSb双异质结双极晶体管集成电路DHBT技术

  2. 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3 mA/µm²时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型  = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 ºC, JC = 2.0 mA/µm²) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：262144
    • 提供者：weixin_38689857

  1. GaAsSb双异质结双极晶体管集成电路DHBT技术

  2. 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3 mA/µm²时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型  = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 ºC, JC = 2.0 mA/µm²) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：203776
    • 提供者：weixin_38730767

  1. 用于射频和微波测试系统的GaAsSb 双异质结双极晶体管集成电路DHBT IC 技术

  2. 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区，InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 50。最大工作条件下 (Tj = 125 ºC, JC = 2.0b= 1.3 mA/µm²时开态击穿电压为BVcbx = 9 V 。典型 mA/µm²) 达到MTTF> 1 × 106 小时的寿命使之适用于测试级别的应用。DHBTs 集成了3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38571453