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GaAs pHEMT等效电路参数的直接提取
提出了一种新的直接参数提取方法,用于确定伪高电子迁移率晶体管的小信号等效电路模型。 该方法是测试结构方法和分析方法的组合,不涉及数值优化。 在2 x 20微米和2 x 40微米的栅极宽度(栅极指的数量x单位栅极宽度)和0.15微米的pHEMT中,在50 MHz频率范围内(类似于40 GHz),在仿真结果和测量结果之间取得了很好的一致性。偏差点范围广。 还通过比较在类似于110 GHz频率的75频率范围内测量和模拟的S参数来进行模型验证,这表明该方法对类似于110 GHz频率范围的50 MHz有效
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:59392
提供者:
weixin_38560039