目前，c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功，但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题。为消除极化电场的影响，人们开始关注半极性和非极性面GaN。其中，基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法，由于其低成本和生长的灵活性，受到了广泛研究。本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理。接着，在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性。最后，列举了GaN基三维结构在