随着电力电子装置的小型化和轻量化，宽禁带半导体器件GaN FET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。在GaN FET的发展中，其结构和驱动对其安全应用至关重要。首先介绍了目前GaN FET器件的主要结构、工作原理及其产品现状；其次，总结了其驱动电路的隔离方式、常用的分立式驱动电路和集成式驱动电路的结构及原理；最后，对GaN FET在电力电子领域的应用情况进行了概述。