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资源分类
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视频文件I P B帧
关于视频文件的I P B帧的解释,此篇文章是从baidu上资料整理所得
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-03-18
文件大小:3072
提供者:
hlrzlh
PIC16F877A-I/P
PIC16F877A-I/P可靠实用cjfhffgn
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-07-23
文件大小:3145728
提供者:
lu330274924
(i,p)-同调逆和群同调逆
(i,p)-同调逆和群同调逆,钱有华,,本文在点标拓扑空间范畴中引进了$(i,p)-$同调逆和群同调逆的概念, 并讨论了它们存在的条件和性质. 由此得到比文\cite{3}更一般的结果�
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-10
文件大小:355328
提供者:
weixin_38629801
基于TiO2/Perovskite/P3HT结构的n-i-p型钙钛矿电池的电极界面优化与器件性能
以TiO2/钙钛矿(PVSK)/P3HT的n-i-p型钙钛矿电池作为研究对象,研究了TiO2薄膜退火温度对TiO2薄膜的结晶性、基于此的钙钛矿薄膜的形貌以及光伏器件性能的影响,比较了P3HT的掺杂以及不同批次P3HT材料对钙钛矿太阳能电池器件性能的影响。结果表明:TiO2薄膜的退火工艺及P3HT的批次对器件性能影响较大。TiO2薄膜的制备工艺设为退火温度为300℃,退火时间为45min,提高TiO2的退火温度到500℃,钙钛矿太阳能电池的效率可提高到11.27%.通过优化钙钛矿薄膜厚度为190n
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-15
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38602982
单片机与DSP中的Epson开发出了图像控制器IC“S2S65A00”及I-P转换IC“S2S65P10”
精工爱普生(Epson)开发出了能够同时存储、传输2个摄像头所拍图像的图像控制器IC“S2S65A00”,以及配备4个视频输入通道的I-P转换IC“S2S65P10”。如果用这些IC制成芯片组,最多可控制8个摄像头组件(摄像头模块及NTSC/PAL解码器)。除汽车黑匣子及车载摄像头外,还面向监控摄像头、网络摄像头等系统。 控制器IC S2S65A00在现有的网络摄像头控制器IC“S1S65010”的基础上,除分别增加了2个摄像头接口和JPEG硬件编码器外,还内置了CompactFlash
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:50176
提供者:
weixin_38573171
MCP42100-I/P的技术参数
产品型号:MCP42100-I/P抽头数:256接口:SPI工作电压(V):2.7~5.5工作电流典型值(uA):340静态电流Max(uA):1总阻值(kΩ):100kohm封装/温度(℃):双DCP描述:PDIP-14/-40~85价格/1片(套):¥18.88
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38712092
MCP42050-I/P的技术参数
产品型号:MCP42050-I/P抽头数:256接口:SPI工作电压(V):2.7~5.5工作电流典型值(uA):340静态电流Max(uA):1总阻值(kΩ):50kohm封装/温度(℃):双DCP描述:PDIP-14/-40~85价格/1片(套):¥18.88
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38559569
MCP42010-I/P的技术参数
产品型号:MCP42010-I/P抽头数:256接口:SPI工作电压(V):2.7~5.5工作电流典型值(uA):340静态电流Max(uA):1总阻值(kΩ):10kohm封装/温度(℃):双DCP描述:PDIP-14/-40~85价格/1片(套):¥18.88
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38654220
MCP41050-I/P的技术参数
产品型号:MCP41050-I/P抽头数:256接口:SPI工作电压(V):2.7~5.5工作电流典型值(uA):340静态电流Max(uA):1总阻值(kΩ):50kohm封装/温度(℃):单DCP描述:PDIP-8/-40~85价格/1片(套):¥12.60
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38635996
MCP41010-I/P的技术参数
产品型号:MCP41010-I/P抽头数:256接口:SPI工作电压(V):2.7~5.5工作电流典型值(uA):340静态电流Max(uA):1总阻值(kΩ):10kohm封装/温度(℃):单DCP描述:PDIP-8/-40~85价格/1片(套):¥12.60
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:24576
提供者:
weixin_38630571
24AA64-I/P的技术参数
产品型号:24AA64-I/P接口方式:I2C最大擦写次数:1M位密度:64K结构:x8写速度(ms):5最大时钟频率(Hz):400K工作电压(V):1.8~5.5封装/温度(℃):8PDIP/-40~85价格/1片(套):¥8.20
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38656103
24AA32A-I/P的技术参数
产品型号:24AA32A-I/P接口方式:I2C最大擦写次数:1M位密度:32K结构:x8写速度(ms):5最大时钟频率(Hz):400K工作电压(V):1.8~5.5封装/温度(℃):8PDIP/-40~85价格/1片(套):¥7.00
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38506103
24AA16-I/P的技术参数
产品型号:24AA16-I/P接口方式:I2C最大擦写次数:1M位密度:16K结构:x8写速度(ms):5最大时钟频率(Hz):400K工作电压(V):1.8~5.5封装/温度(℃):8PDIP/-40~85价格/1片(套):¥5.50
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:25600
提供者:
weixin_38540782
24AA01-I/P的技术参数
产品型号:24AA01-I/P接口方式:I2C最大擦写次数:1M位密度:1K结构:x8写速度(ms):5最大时钟频率(Hz):400K工作电压(V):1.8~5.5封装/温度(℃):8PDIP/-40~85价格/1片(套):¥4.00
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:24576
提供者:
weixin_38592643
MCP6042-I/P的技术参数
产品型号:MCP6042-I/P带宽增益乘积(kHz):14静态电流IQ典型值(nA):600输入偏置电压VOSMax.(mV):3工作电压(V):1.4~5.5描述:满幅输入输出双运放封装/温度(℃):PDIP-8/-40~85价格/1片(套):¥6.80
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-12
文件大小:26624
提供者:
weixin_38729022
MCP6S21-I/P的技术参数
产品型号:MCP6S21-I/P接口:SPI转换通道:1-3 dB带宽(MHz):2 ~ 12增益幅度(V/V):1,2,4,5,8,10,16,32工作电流(mA):1.100工作电压(V):2.5 ~ 5.5输入偏置电压Vos(uV):150噪音:10VREF(脚):Yes封装/温度(℃):PDIP-8/-40~85价格/1片(套):¥11.50
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-12
文件大小:26624
提供者:
weixin_38657376
MCP6S28-I/P的技术参数
产品型号:MCP6S28-I/P接口:SPI转换通道:8-3 dB带宽(MHz):2 ~ 12增益幅度(V/V):1,2,4,5,8,10,16,32工作电流(mA):1.100工作电压(V):2.5 ~ 5.5输入偏置电压Vos(uV):150噪音:10VREF(脚):Yes封装/温度(℃):PDIP-16/-40~85价格/1片(套):¥23.80
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-12
文件大小:26624
提供者:
weixin_38674675
MCP6S26-I/P的技术参数
产品型号:MCP6S26-I/P接口:SPI转换通道:6-3 dB带宽(MHz):2 ~ 12增益幅度(V/V):1,2,4,5,8,10,16,32工作电流(mA):1.100工作电压(V):2.5 ~ 5.5输入偏置电压Vos(uV):150噪音:10VREF(脚):Yes封装/温度(℃):PDIP-14/-40~85价格/1片(套):¥20.80
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-12
文件大小:26624
提供者:
weixin_38691256
MCP6S22-I/P的技术参数
产品型号:MCP6S22-I/P接口:SPI转换通道:2-3 dB带宽(MHz):2 ~ 12增益幅度(V/V):1,2,4,5,8,10,16,32工作电流(mA):1.100工作电压(V):2.5 ~ 5.5输入偏置电压Vos(uV):150噪音:10VREF(脚):Yes封装/温度(℃):PDIP-8/-40~85价格/1片(套):¥13.50
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-12
文件大小:26624
提供者:
weixin_38613330
基于硫氰酸亚铜的n-i-p型钙钛矿太阳电池界面能级匹配及稳定性的初步研究
宽带隙的无机空穴传输材料硫氰酸亚铜(CuSCN)具有低成本、高载流子迁移率、良好的稳定性,以及优异的光透过性等优点,是一种非常有潜力的空穴传输层材料。但是目前基于CuSCN空穴传输层的n-i-p型钙钛矿太阳电池(PSCs)的光电转换效率(PCE)比基于spiro-OMeTAD的电池效率低很多,其主要原因为电池的开路电压较低。本研究团队发现钙钛矿吸收层带隙对基于CuSCN的电池开路电压有较大的影响,本文分别制备了基于带隙为1.55 eV,1.60 eV以及1.65 eV的钙钛矿太阳电池,其中基于C
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-21
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38743119
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