本文介绍的新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样容易。最重要的是，通过自动校准、去除处理(de- embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取，探针接触特性的自动调整，已经能够实现RF的完整测试。

对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容（Cox）。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。 　　减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来： 假设RF技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。 　　但是，现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样

对于超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容（Cox）。然而，使用高频电路模型则能够提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。 　　减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来： 假设RF技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。 　　但是，现在新的参数测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样容易