您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. IGBT及其子器件的几种失效模式

  2. 摘要:本文通过案例和实验,概述了四种IGBT及其子器件的失效模式:MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。   关键词:栅击穿 阈值电压漂移  积累损伤  硅熔融 1、  引言   IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和双极的特有失效模式,还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件,因此,IGBT也是静电极敏感型器件,其
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-25
    • 文件大小:320512
    • 提供者:weixin_38684328