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  1. 单片机应用技术选编(7)

  2. 内容简介    《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。    本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2010-05-19
    • 文件大小:13631488
    • 提供者:zgraeae
  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2011-03-17
    • 文件大小:12582912
    • 提供者:lantingele
  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

  2. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究pdf,基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究密封技木两 www.mfw365.com 首家密封技行业门户网站 explained in the concrete Moreover, according to characteristic of the motor' s structure, the old Three-step Starting Technology" has been improved. What is more Important, a
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:15728640
    • 提供者:weixin_38744153
  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-14
    • 文件大小:105472
    • 提供者:weixin_38664989
  1. 基础电子中的IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:117760
    • 提供者:weixin_38723105
  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展为迅速的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:140288
    • 提供者:weixin_38697753
  1. IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展为迅速的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:122880
    • 提供者:weixin_38688820