以IGBT模块的内部结构和材料特性为基础．研究了焊料层疲劳、铝键接线断裂或剥离、DCB基片失效等封装级故障产生 机理；分析栅氧化层击穿、电过应力、辐射失效等器件级故障的产生机理；最后，分别给出了两大类故障的预报方法。

三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。 　　从上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金属散热板（通常选用铜）三部分组成。DBC由三层材料构成，上下两层为金属层，中间层是绝缘陶瓷层。相比于陶瓷衬底，DBC的性能更胜一筹：它拥有更轻的重量，更好的导热性能