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  1. IGBT检测方法－－－－－－－－－－

  2. IGBT检测方法 ，一个简单明了的检测方法，值得看看

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-20
    • 文件大小：76800
    • 提供者：gdzhdz

  1. 变频器IGBT模块检测方法

  2. 首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-01-14
    • 文件大小：5120
    • 提供者：guaixiaolong

  1. IGBT的检测方法.doc

  2. IGBT的检测方法doc,IGBT的检测方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-10
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 低压静止无功发生器实验平台的设计

  2. 根据静止无功发生器(SVG)的响应速度快,调节性能好,能综合补偿无功、三相不平衡和谐波等优点,设计了一种基于IGBT的低压SVG实验平台。重点介绍了系统总体结构和主电路设计。该系统应用Matlab/Simulink进行仿真表明,它具有良好的动态性能和静态补偿效果,并通过dSPACE进行实物仿真,进一步验证SVG检测算法和控制方法的正确性与有效性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-07
    • 文件大小：611328
    • 提供者：weixin_38689922

  1. 一种三电平NPC逆变器IGBT开路判别方法

  2. 针对现有三电平NPC逆变器IGBT开路判别方法计算量大的问题,对各种IGBT开路情形进行了仿真,并分析了母线中点电压偏移的原因,进而提出了一种简单的判别IGBT开路的方法。该方法通过检测母线中点电压与逆变器三相输出电流实现IGBT开路判断,无需附加硬件电路。仿真结果验证了该方法的有效性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-03
    • 文件大小：640000
    • 提供者：weixin_38642735

  1. 基于栅极电压监测的IGBT键合线剥落故障在线检测

  2. 基于栅极电压监测的IGBT键合线剥落故障在线检测，陈永淑，周雒维，论文基于键合线剥落前后栅极电压信号的分析对比，提出了一种IGBT故障在线检测方法。首先理论分析了IGBT的动态特性，明确了栅极电压�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-28
    • 文件大小：527360
    • 提供者：weixin_38538264

  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

  2. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究pdf,基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究密封技木两 www.mfw365.com 首家密封技行业门户网站 explained in the concrete Moreover, according to characteristic of the motor' s structure, the old Three-step Starting Technology" has been improved. What is more Important, a

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：15728640
    • 提供者：weixin_38744153

  1. IGBT等效电路图及IGBT检测方法

  2. 本文主要讲了IGBT等效电路图及IGBT检测方法，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38592758

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38664989

  1. 浅析IGBT的检测方法

  2. IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38681286

  1. 检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法

  2. 本文介绍了IGBT极性的判断和好坏的检测方法.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-26
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38659646

  1. 基础电子中的IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38723105

  1. 基础电子中的如何检测IGBT好坏简便方法介绍

  2. 1、判断极性 　　首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。 　　2、判断好坏 　　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38686658

  1. 电子测量中的检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法

  2. 1、判断极性　　首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。　　2、判断好坏　　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IG

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：109568
    • 提供者：weixin_38567956

  1. 如何检测IGBT好坏简便方法介绍

  2. 1、判断极性 　　首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。 　　2、判断好坏 　　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38563525

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38697753

  1. IGBT的检测方法

  2. IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极) 　　一、用指针式万用表对场效应管进行判别 　　（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38613173

  1. 分享：IGBT的检测方法

  2. IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)　　一、用指针式万用表对场效应管进行判别　　(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：113664
    • 提供者：weixin_38703626

  1. IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法

  2. IGBT的工作原理和作用　　IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。　　IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。　　IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38629801

  1. IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：122880
    • 提供者：weixin_38688820
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