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  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-03-17
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：lantingele

  1. 非常详细的MOS管讲义

  2. 该文档详细介绍了MOS管的原理、结构、使用方法和注意事项，并附带了使用的范例电路，值得保存

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：cehon

  1. 颐和新能源光伏并网逆变电源EHE-N1K5用户手册.pdf

  2. 颐和新能源光伏并网逆变电源EHE-N1K5用户手册pdf,颐和新能源光伏并网逆变电源EHE-N1K5用户手册LCHC 安徽颐和新能源光伏并网逆变电源 此文档涉及安徽颐和新能源光伏并网逆变器的专利及保密信息。未经本公司允 许,不许将本手册复印、拍照、发布网上等形式流传。 安徽颐和新能源有权对本手册的细节内容进行修改。 历史版本 版本号日期 作者审核说明 009-10-21刘艳马志保原始版 10-06-29刘艳 马志保添加版本信息 110-12-20刘艳姚俊增加安装细节 11-02-17刘艳姚俊电气

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 安川_H1000系列快速使用指南.pdf

  2. 安川_H1000系列快速使用指南pdf,安川_H1000系列快速使用指南如下：  1、选型 1).电抗器的安装 将变频器连接到大容量的电源变压器 （600kVA 以上）上或进行进相电容器的切换时，电源输入回路会产生过大的 峰值电流，有可能损坏转换器部分的元件。为防止这种情况的发生，请安装 DC 电抗器或 AC 电抗器。这也有助于改 善电源侧的功率因数。另外，当同一电源系统连接有直流驱动器等晶闸管变换器时，无论图 1 电源条件如何，必须 设置 DC 电抗器或 AC 电抗器。 2).变频器容量 运行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-08
    • 文件大小：17825792
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. IGBT的常识及使用注意事项

  2. 　igbt管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38622227

  1. IGBT管的使用注意事项

  2. IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38694336

  1. IGBT的常识及使用注意事项

  2. IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38544152

  1. 元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项

  2. 一、IGBT管简介 　　IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38631225