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  1. IGBT原理介绍

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点,这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件,并且得到越来越广泛的应用。 本文主要介绍了IGBT的结构
  3. 所属分类:电子政务

    • 发布日期:2013-08-08
    • 文件大小:448512
    • 提供者:shenbubu
  1. 矿用三电平变频器驱动电路设计

  2. 针对矿用三电平变频器,为提高系统的运行效率且减少电流和电压的过冲,延长电机和变频器寿命,采用新型高压大功率IGBT驱动模块2QD30A17K-I进行驱动电路设计,分析了驱动电路的工作原理,设计了电流过流和短路保护、欠压保护电路,给出了基本三电平的驱动电路原理图,元器件的参数计算和选型,实验调试验证了该驱动电路的可行性和正确性,可以在煤矿行业内推广应用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-18
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38570202
  1. IGBT驱动模块的分析

  2. IGBT驱动模块的分析,张明,,本文介绍了IGBT对驱动电路的要求,对IGBT的专用集成驱动芯片EXB841和2SD315A的工作原理进行了分析与比较。EXB841具有隔离强度高、反应速度
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-19
    • 文件大小:398336
    • 提供者:weixin_38620099
  1. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdf.pdf

  2. 常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfpdf,常用于APFC的软开关BOOST电路的分析与仿真.pdfamiem12nsn-81q1) 0 00 M tEl 从图上可以看到 1,MOS管在开通时,可以看到 miller效应在驱动信号上造成的平台。 2,当M管开通时,在MoS的漏极和二管上产生很大的尖峰电流 从仿真结果来看,的确存在我们前面分析的容性开通、反向恢复等问题。 那么软开关就能解决这个问题吗? 下面我们先推出今天的第一个软开关的例子 此电路是我以前分析一华为通信电源模块
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38744375
  1. IGBT驱动保护及典型应用

  2. 介绍了IGBT的基本结构、工作原理、驱动电路,同时简要概括了IGBT模块的选择方法和保护措施等,最后对IGBT的实际典型应用进行了分析介绍,通过对IGBT的学习,来探讨IGBT在当代电力电子领域的广泛应用和发展前景。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-12-01
    • 文件大小:643072
    • 提供者:lmf3658
  1. IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究

  2. 通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法的讨论,详细的介绍了一种可驱动高压大功率IGBT集成驱动模块HCPL-316J的应用,并给出了详细的电路图及原理分析。物超所值!!!
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-10-08
    • 文件大小:570368
    • 提供者:wangzhiyu126
  1. 矿用变频器功率器件选型及其驱动保护设计

  2. 分析了煤矿井下设备对变频器功率器件IGBT的需求和在IGBT选型时需要考虑的电气参数,介绍了基于2SD315模块的IGBT驱动保护电路的设计。实际应用表明,采用文中介绍的方法选用的IGBT和设计的驱动保护电路后,变频器运行稳定,IGBT驱动有效,保护完善。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-17
    • 文件大小:97280
    • 提供者:weixin_38683721
  1. SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

  2. 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-21
    • 文件大小:80896
    • 提供者:weixin_38749305
  1. IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究

  2. 通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-15
    • 文件大小:349184
    • 提供者:weixin_38526823
  1. IGBT全桥逆变隔离驱动辅助电源的设计

  2. 全桥逆变电路作为大功率变换器的主要拓扑形式,其功率开关管工作的可靠性对电路的稳定运行具有关键性的作用。针对高压电源IGBT全桥逆变主电路专用驱动模块M57962L隔离供电的问题,设计了具有11绕组,9路隔离输出的反激式开关电源。详细介绍了反激变压器的设计方法以及基于三端集成稳压器TL431与线性光耦PC817的二阶环路补偿网络,包括磁芯的选取、匝数、线径、原边电感、气隙的计算以及环路补偿网络的理论分析与Saber仿真分析。仿真分析与样机测试结果表明:该电路设计有效,输出电压稳定,纹波小于100
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:762880
    • 提供者:weixin_38705723
  1. 电机控制器IGBT驱动电源的设计

  2. 针对IGBT全桥模块提出一种新型驱动电源方案,传统驱动电源采用反激拓扑或变压器单原边多副边的方案。反激拓扑只在开关关断时才向副边传输能量,导致瞬态特性差;而单原边多副边的方案中6组驱动电源空间分布过于密集,电气间隙和爬电距离难以满足要求。基于英飞凌FS400R07A3E3全桥模块设计一种驱动电源,首先分析了各个模块的工作原理及参数计算;然后在仿真软件上验证设计的合理性;最后样机测试表明,电源具有良好的调整率及输出精度,能够稳定驱动IGBT。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:770048
    • 提供者:weixin_38723105
  1. 基础电子中的浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38634065
  1. IGBT集成驱动模块的研究

  2. 简要介绍了绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路的原则,详细分析了多种常用的ICBT集成驱动模块的特性,并进行了比较。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:423936
    • 提供者:weixin_38691006
  1. 国内外大功率IGBT驱动模块应用研究分析

  2. 目前,IGBT应用领域的驱动方案很多,现在市场上流行着很多种类非常成熟的IGBT驱动模块专用产品,各公司驱动模块都各有特点,但各个公司往往又因维护各自的知识产权,所以通用性较差,在驱动保护功能配置等方面也有不尽完善的地方,因此文章从各公司驱动器驱动性能、电参数、价格、外形尺寸、外围电路及应用领域等进行了详细的说明,为使用者提供参考,并为进一步推广IGBT驱动模块的应用打下基础,同时也为各同行积累经验。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-17
    • 文件大小:704512
    • 提供者:weixin_38589774
  1. IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理

  2. IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:544768
    • 提供者:weixin_38752074
  1. IGBT高压大功率驱动和保护电路的设计方案

  2. 通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:555008
    • 提供者:weixin_38737176
  1. 基于数字信号处理器的IGBT驱动电路可靠性分析与设计

  2. 摘要:随着半导体技术与大规模集成电路技术的发展,数字信号处理器在交流调速及运动控制领域应用越来越广。数字信号处理器与功率器件接口电路设计的合理完善直接关系到系统长期工作的可靠性。同时,低压供电数字信号处理器也对驱动接口电路设计提出了要求。通过分析IGBT对驱动可靠性的要求及应用于变频器的几种数字信号处理器的PWM口驱动能力,设计了一种可靠的驱动电路方案。     关键词:IGBT;数字信号处理器;PWM口;驱动;可靠性 引言 在高可靠性等级的设备中,必须保证半导体器件的失效率标称值在10
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:168960
    • 提供者:weixin_38727087
  1.  镁合金微弧氧化电源驱动电路的可靠性分析

  2. 微弧氧化是一种新型的表面处理方法,利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲,且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状,然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。实验表明,Eupec系列的2ED300驱动电路结构简单,可靠性高,适用于大功率微弧氧化电源的驱动。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-30
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38713801
  1. 浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读:本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发,系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点,从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术,并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。   一、背景   绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有MOS输入、双极输
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:103424
    • 提供者:weixin_38712279
  1. 基于免疫遗传算法的逆变器控制策略及其DSP实现

  2. 采用一种基于免疫遗传算法IGA(ImmuneGeneticAlgorithm)的逆变器控制策略对逆变器进行控制,在保留普通遗传算法(GA)优良特性的同时,针对控制对象的具体特点,建立了相关的数学模型,使用疫苗、浓度函数和抗体选择函数对进化过程进行优化,提高了算法收敛速度和局部收敛能力。设计和搭建了基于数字信号处理器(DSP)的实验平台,使用C语言编写实验程序,实现了控制策略。对实验平台的硬件结构作了详细说明,针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动模块EXB841的缺点设计了改进措施;介绍了软件设计
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-14
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38515897
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