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搜索资源列表

  1. ISE－TCAD 中文培训资料.pdf 很好的资料

  2. ISE－TCAD 中文培训资料.pdf 很好的资料 请识货者收藏和下载，很好资料哦

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-05-28
    • 文件大小：523264
    • 提供者：hsgyunzhongyue

  1. Tcad training

  2. 很好 很详细的一个ISE-TCAD教程 还有截图

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-09-26
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：qcf0704kb

  1. ISE simulation 教程

  2. ISE TCAD SIMULATION 教程

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-09-16
    • 文件大小：11534336
    • 提供者：dadiwuya

  1. ISD TCAD模拟工具初级使用手册

  2. ISE TCAD软件的初级使用手册，半导体器件物理

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-04-30
    • 文件大小：566272
    • 提供者：liuzhan__

  1. ISE-TCAD半导体器件模拟DESSIS

  2. 半导体器件模拟isetcad中的 DESSIS使用部分，内部培训教程

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-31
    • 文件大小：462848
    • 提供者：u010909397

  1. ISE TCAD核心部分dessis

  2. ISE TCAD核心部分dessis英文讲解

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-09-18
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：u012166445

  1. ISE-TCAD模拟工具使用初级手册

  2. ISE- TCAD 的介绍使用，希望对你们有用哦~

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2014-01-19
    • 文件大小：517120
    • 提供者：u012724500

  1. ISE-TCAD模拟工具使用初级手册

  2. 不错的模拟软件说明，简单易懂的介绍ISE-TCAD模拟工具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-02-20
    • 文件大小：523264
    • 提供者：u013721092

  1. 半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料教程.pdf

  2. 半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料教程pdf,接触Silvaco TCAD仿真软件已经有很长时间了，这期间还熟悉了一下ISE TCAD。学习的过程中，老师、师兄姐和同学给了我极大的帮助。这本书的主旨就是希望提供-些对于Silvaco仿真的可资借鉴的经验。学习和使用Silvaco的时候各人的视角会不一样，虽然这本书只是介绍一些常用的仿真，例句也有限，但因为流程控制和语法都有相通的地方，完全可以参照本书和手册的说明灵活地建立仿真以及仿真--些本书未提及的特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743968

  1. ISE Integrated Systems Engineering Release 9.0 Examples Library

  2. ISE TCAD 仿真示例，包含以下：NMOS、DMOS、SOI、EEPROM、FeRAM、ESD、POWER等。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：goohoos

  1. 完全耗尽的栅叠层双栅极应变Si MOSFET中渐变沟道设计对改善短沟道抗扰度和热载流子可靠性的影响

  2. 本文提出了一种新的纳米级梯度沟道栅堆叠，双栅应变硅MOSFET结构及其二维解析模型。假定界面，并考虑了掺杂的影响以及高，低掺杂区的长度。该模型用于获得两个区域中表面势和电场的表达式。 扩展分析以获得阈值电压（Vth），亚阈值电流和亚阈值摆幅的表达式。 结果表明，沟道中的渐变掺杂分布可抑制短沟道效应（SCE），例如Vth滚降，漏极诱导的势垒降低（DIBL）和热载流子效应。 已将如此获得的结果与使用设备模拟器ISE-TCAD获得的模拟结果进行了比较，发现该一致性良好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38554193

  1. 纳米FinFET器件的单粒子效应研究(英文)

  2. Fin FET器件比主流CMOS技术表现出更多优势,如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性,基于ISE TCAD,考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响,建立了一种纳米Fin FET器件SEE的3D仿真模型。分析了工艺掺杂浓度、栅压、粒子能量、寄生电容及技术节点等对单粒子瞬态电流的影响,并探讨了其影响机制。基于此分析,找到了一些潜在的工艺加固技术,如降低源极掺杂浓度、增加漏极和衬底的掺杂浓度、减少粒子能量、降低栅压、优化寄生电容等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：401408
    • 提供者：weixin_38609453