在本文中，我们证明了通过使用新的肖特基接触技术，晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的截止状态击穿电压（BV）改善了253％。 基于此概念，提出了肖特基源/漏和肖特基源（SS）InAlN / GaN HEMT。 提议的L-GD为15μm的InAlN / GaN HEMT的三端BV大于600 V，而相同几何形状的常规InAlN / GaN HEMT的最大BV为184V。在板中，在L-GD = 15μm的SS InAlN / GaN HEMT中测量到650