设计了InGaN/GaN 超晶格垒层替代p-GaN 和n-GaN 附近传统GaN 垒层的InGaN/GaN 多量子阱(MQW)发光二极管（LEDs）结构。通过数值方法模拟出两种LED 结构的光功率-电压（L-V）曲线、电致发光（EL）谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率。结果表明InGaN/GaN 超晶格替代n-GaN 附近GaN 垒层的LED 结构比替代p-GaN 附近GaN 垒层的LED 显示出更高的发光强度。这种发光增强的原因是InGaN/GaN 超晶格替代n-GaN 附近GaN 垒层可