设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道，200 GHz通道间隔的阵列波导光栅（AWG）器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器件尺寸，提高光电子芯片的集成度。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），光刻及感应耦合反应离子束（ICP）刻蚀技术，成功研制出芯片样品。测试结果显示，器件插入损耗约-10 dB，相邻通道串扰小于-15 dB。