计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。 　　Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infine

计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。 　　Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infine