采用连续过滤快速横向生长技术, 有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度, 提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后, 测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示, 不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式, 但会降低912 cm-1处的晶格振动强度; γ射线辐照诱导缺陷的种类不变, 但随着辐照剂量的增大, 缺陷浓度增大; 晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。

概述了本课题组在KDP类晶体快速生长领域的研究及进展情况。通过集成生长设备的管道系统、升级连续过滤系统、研发晶体生长过程的实时监控系统以及高精度退火设备, 实现晶体生长系统的集成化; 通过数值模拟优化晶体表面流场状态、全流程量化控制实现晶体稳定生长以及精密热退火进一步提升晶体性能; 针对点籽晶快速生长KDP类晶体中存在的柱锥交界面问题, 相继提出了长籽晶锥区限制生长法和长籽晶自由生长法, 为大尺寸高性能KDP类晶体生长提供新的技术方案。