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Ku波段0.18 μm CMOS压控振荡器电路设计
在TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器,该电路采用NMOS交叉耦合型,结合滤波技术降低相位噪声,并利用开关电容阵列为其扩频,使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明,该电路实现了10 GHz~14 GHz的宽调频,在整个频带内其相位噪声低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移处;在1.8 V的电压下,核心电路工作电流为5 mA。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-17
文件大小:344064
提供者:
weixin_38723236