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  1. LDMOS微波功率放大器分析与设计

  2. LDMOS微波功率放大器分析与设计，指导设计高功率放大器

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-23
    • 文件大小：277504
    • 提供者：hunter712

  1. 600V+LDMOS器件设计

  2. 600V+LDMOS器件设计

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-06-13
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：kunyuleeee

  1. LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

  2. LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化，在LDMOS场效应管自热效 应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计。实验结果验证了偏置电路 的仿真设计方法的有效性。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-09-02
    • 文件大小：330752
    • 提供者：xinruixiaozhong

  1. LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计

  2. 针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计， 提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后， 利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：737280
    • 提供者：weixin_38658405

  1. 适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  2. LDMOS以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。本文将在基本LDMOS的基础上，通过器件结构的改进来提高LDMOS的抗击穿能力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-08
    • 文件大小：186368
    • 提供者：weixin_38516190

  1. 一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

  2. 文中设计的LDMOS器件主要是在耐压特性上做了改进，相对于RESURF技术、漂移区变掺杂、加电阻场极板、内场限环等技术而言，具有工艺简单，可控性强 的优点。其较高的抗击穿能力可适用于射频集成电路，如移动通信基站。当然，若将此器件应用于基站，还需要考虑射频LDMOS的其它电学特性，使器件的各个参数达到作为基站功率放大器的要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550137

  1. 分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计

  2. 为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小LDMOS器件寄生电容!提升器件增益#效率及线性度等射频性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38695293

  1. 模拟技术中的LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计

  2. 摘要： 针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计， 提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后， 利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为： 在频率范围为1. 3 GH z~ 2. 3 GH z内， 两端口的反射系数均小于- 25 dB, 匹配网路的传输系数接近0 dB。为实现更好的阻抗匹配， 再用ADS优化匹配网络， 使其阻抗值更接近功率晶体管的实际输出阻抗值。此方法对快速有效地设计宽带功率放大器匹配电路有着很好的借鉴作用。 　　宽带功率放大器除

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：575488
    • 提供者：weixin_38736760

  1. 检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案

  2. 本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能，相比其它方法，在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高，可以直接应用于电源控制芯片中的安全保护设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：490496
    • 提供者：weixin_38728276

  1. RFID技术中的分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计

  2. 摘要：为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小LDMOS器件寄生电容!提升器件增益#效率及线性度等射频性能。 　　0.引言 　　由于具有高功率增益#高效率及低成本等优点，射频LDMOS（lateral diffused metal oxide semiconducto

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38699726

  1. 元器件应用中的英飞凌发布PTFB系列LDMOS晶体管

  2. 英飞凌科技(Infineon TEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品。 　　新型晶体管的功率位准高达300W，视频频宽超过90MHz，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高数据传输速率规格。 　　新型晶体管系列产品所提供的高增益及高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38574132

  1. 电源技术中的飞思卡尔三款射频LDMOS产品符合WiMAX基站所需性能

  2. 飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，成功地取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够支持高功率无线基础设施应用，其中LDMOS的性能高达3.8GHz，而GaAs PHEMT的性能则高达6GHz。  　　首批3.5GHz LDMOS设备的样品MRF7S38075H现已问世。它是一个75瓦特的P1dB射频晶体管，平均功率为42dBm(16W)，满足在3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38703295

  1. 通信与网络中的飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能

  2. 飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOS RF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。 　　Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时要求高效率和高线性是一个相互冲突的要求。飞思卡尔新推出的晶体管专门针对这种架构，成功地解决了这些难题，这样便可以创建功耗远低于传统晶体管设计的基站。 　　其中两台设备在865-960 MHz 频段运行，另外两台在1930-1990频段运行，还有三台设备在211

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38581447

  1. RFID技术中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K

  2. 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。     该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。     以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38681318

  1. 元器件应用中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K...

  2. 飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。     该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。     以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38707356

  1. 元器件应用中的飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

  2. 飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。　　MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 　　这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38730129

  1. 部分SOI技术中具有阶跃掺杂漂移区的600V级LDMOS

  2. 部分SOI技术中具有阶跃掺杂漂移区的600V级LDMOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：376832
    • 提供者：weixin_38747144

  1. 与n沟道LDMOS兼容的低导通电阻掩埋电流路径SOI p沟道LDMOS

  2. 一种与高电压（HV）n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻（R-on，R-sp）绝缘体上硅（SOI）p沟道横向双扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）（ nLDMOS）。 pLDMOS内置在N型SOI层中，而埋入的P型层在导通状态下用作电流传导路径（BP SOI pLDMOS）。 可以获得与HV nLDMOS和形成在N-SOI层上的低压（LV）互补金属氧化物半导体（CMOS）电路的卓越兼容性。 在关闭状态下，内置在N-SOI层中的P埋层会引起多次耗尽和电场整形，从而导致增强的（减少的）表面场（RE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38539053

  1. 梯形沟槽的超结深沟道LDMOS的仿真研究

  2. 过滤：成果类别发表年份。输入标题检索个人成果..成果：12，引用：8，专利：0，专利交易金额：0万元排序：发表葡萄酒添加成果。标题/作者/来源/收录。 ...具有浮动n阱区的TIGBT，具有高dV / dt可控性和低EMI噪声。 程俊吉陈星bi Chen，XB（*）。IEEE电子设备快报，2018.4，39（4）：560〜563; SCIE。编辑...对电荷平衡超级结使用变化垂直掺杂的深沟道LDMOS的改进。成俊吉（＃）; 陈伟珍李平.IEEE电子设备学报，2018.4，65（4）：1404〜1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38630091

  1. 背栅引起的薄层SOI场P沟道LDMOS的击穿机制

  2. 背栅引起的薄层SOI场P沟道LDMOS的击穿机制

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38636763
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