现发光效率的目标要寄希望于GaN衬底的LED,实现低成本，也要通过GaN衬底导致高效、大面积、单灯大功率的实现，以及带动的工艺技术的简化和成品率的大大提高。半导体照明一旦成为现实，其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。一旦在衬底等关键技术领域取得突破，其产业化进程将会取得长足发展

设计并制造了基于AlGaInP外延晶片的320×240微发光二极管（micro-LED）阵列，其单位尺寸为100μm×100μm。基于每个LED的完全隔离与发光面积的最大化之间的折衷来确定相邻发光单元之间的隔离凹槽的最佳宽度，并且发现为20μm。凹槽填充有混合的Si颗粒-聚氨酯复合介质，因为这种类型的绝缘材料可以将每个发光单元中从侧壁发射的光的一部分反射到窗口层，从而可以提高光输出效率。宽10μm的方形阳极设计用于在增加发光面积的同时，又易于制造。使用的器件电流在0.42–1.06 mA范围内，