对于大工作电流的大功率LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二次散热装置，来降低器件的热阻。在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在硅橡胶承受的温度范围内(一般为40~200℃)，胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出现变黄现象。零件材料也应充分考虑其导热。

传统指示灯型LED封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达 250~300℃/W，新的大功率芯片若采用传统式的LED封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温讯速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为讯速的热膨胀所产生的应用力造成开路而失效。 　　因此，对于大工作电流的大功率LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜

传统指示灯型LED封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达 250~300℃/W，新的大功率芯片若采用传统式的LED封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温讯速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为讯速的热膨胀所产生的应用力造成开路而失效。 　　因此，对于大工作电流的大功率LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜