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优化噪声系数的低噪声放大器(LNA)匹配技术
优化噪声系数的低噪声放大器(LNA)匹配技术.pdf
所属分类:
电信
发布日期:2012-08-14
文件大小:567296
提供者:
hnui007
inductor degeneration LNA
低噪声放大器设计。为了使得匹配和噪声系数这两个互相矛盾的指标达到一个平衡,需要有很多新的技术来设计LNA。 INDUCTOR DEGENERATION就是其中的一种窄带技术。
所属分类:
3G/移动开发
发布日期:2015-03-15
文件大小:299008
提供者:
tsigh777
LNA匹配技术
LNA匹配技术文档,基于史密斯圆图调试,附有理论知识。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2015-07-29
文件大小:567296
提供者:
showsnail
RFID技术中的手机RF射频PCB板布局布线的经验总结
射频(RF)电路板设计由于在理论上还有很多不确定性,因此常被形容为一种“黑色艺术”,但这个观点只有部分正确,RF电路板设计也有许多可以遵循的准则和不应该被忽视的法则。 不过,在实际设计时,真正实用的技巧是当这些准则和法则因各种设计约束而无法准确地实施时如何对它们进行折衷处理。当然,有许多重要的RF设计课题值得讨 论,包括阻抗和阻抗匹配、绝缘层材料和层叠板以及波长和驻波,所以这些对手机的EMC、EMI影响都很大,下面就对手机PCB板的在设计RF布局时必须满 足的条件加以总结:
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:230400
提供者:
weixin_38635684
模拟技术中的分析低噪声系统的设计窍门
低噪声系统设计的第一个窍门是在前级应用中尽可能多的增益,下图显示的是一个放大器前端的两个例子,增益为10.可以看出,将所有增益应用于第一级,比将增益分布于两级要好得多。有时最佳带宽性能的要求可能与最佳噪声性能的要求相冲突。对于带宽,我们希望每个增益级具有近似的增益,而对于噪声,我们则希望第一级具有全部的增益。 第二个窍门是注意源阻抗。这样做有两个原因:第一,源阻抗越大,则系统噪声越大;第二,放大器必须与源阻抗匹配良好,如果源阻抗较高,电流噪声噪声特性可能比电压噪声特性更重要。TD-SCDM
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:57344
提供者:
weixin_38673694
RFID技术中的射频收发器接收端口差分匹配电路的计算
摘 要: 根据实例介绍GSM手机中射频收发器接收端的低噪声放大器(LNA)到表面声波滤波器(SAW Filter)之间的差分匹配电路的计算方法。 0 引言 接收灵敏度是GSM手机射频性能的重要指标,匹配电路的调整是优化接收灵敏度的主要方法。常见的GSM手机射频接收电路如图1所示,需要调整的匹配电路主要有两部份, 一部份是单端匹配电路, 是调整SAWFilter单端输入端口至天线端口路径的阻抗到50欧姆;另一部份是差分匹配电路,是调整差分路径的阻抗满足SAW Filter负载阻抗的要求
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:295936
提供者:
weixin_38687218
基于切比雪夫网络修正的噪声优化超宽带LNA设计
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明:在3~10 GHz频段内,S11和S22均小于-10 dB,S21为15 dB~10 dB,噪声系数NF为1.5 dB~2.3 dB,在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 mW。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-17
文件大小:419840
提供者:
weixin_38705004
基于噪声消除技术的CMOS超宽带LNA设计
本文基于SMIC0.18μmRFCMOS工艺,设计了可以工作于3~5GHz频段的超宽带低噪声放大器。对电路的输入匹配和增益进行了分析,对噪声消除技术进行了推导。仿真结果表明,该放大器在工作频带内的各项指标满足超宽带系统应用。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:300032
提供者:
weixin_38740201
模拟技术中的低噪声放大器MAX2664/MAX2665 特性/应用/数据资料
MAX2664和MAX2665为结构紧凑的VHF/UHF LNA,这些器件集成了宽带LNA和旁路开关。MAX2664可覆盖470MHz至860MHz UHF频率范围;MAX2665则支持75MHz至230MHz VHF频率范围。 每款器件具有零功率旁路模式,改善强信号输入下的性能。此外,输出端口在内部匹配于50Ω,只需使用一个外部电感即可匹配50Ω输入端口。 MAX2664和MAX2665采用4焊球(0.8mm x 0.8mm x 0.64mm)、无铅、晶片级封装(WLP)。
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-04
文件大小:67584
提供者:
weixin_38703823
模拟技术中的SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造
摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe 器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:398336
提供者:
weixin_38620741
模拟技术中的采用噪声消除技术的3~5 GHz CMOS超宽带LNA设计
2002年2月,美国联邦通信委员会( FCC)为超宽带无线通信系统规划了3. 1 - 10. 6GHz的频谱资源,引起了全球性的研究热潮。超宽带技术具有低功耗、高数据传输速率、抗干扰性强等优点。 超宽带低噪声放大器是超宽带无线接收前端系统中的第一个模块。它影响着整个系统的带宽、噪声、功耗等性能。本文设计的CMOS低噪声放大器适用于工作频段为3~5GHz的超宽带系统。文章从LNA结构的选取开始,然后进行电路分析与设计及仿真,最后对仿真结果进行分析和总结。 1 超宽带LNA结构选取
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:527360
提供者:
weixin_38747592
模拟技术中的一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器的设计应用
由于成本低和集成度高等特点, CMOS技术正越来越多地应用于无线射频收发芯片的设计。低噪声放大器作为射频信号传输链路的第一级,整个系统的信噪比( SNR)很大程度上取决于低噪声放大器(LNA)的噪声系数(NF)和增益。因此,高性能的LNA成为射频前端电路设计的关键模块。其主要目的是提供较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降;提供足够高的增益使其可以抑制后续级模块的噪声以及良好的输入输出阻抗匹配;同时按照无线通信设备发展趋势所要求的, LNA必须尽可能低的功耗。 Inductive2dege
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:330752
提供者:
weixin_38698860
模拟技术中的基于ADS仿真的低噪声放大器设计
1 引 言 低噪声放大器(LNA)位于射频接收机的前端,其主要功能是对微弱信号进行低噪声放大。在低噪声放大器的设计过程中,要综合考虑其放大能力、噪声系数和匹配等因素,这需要大量的理论计算和smith圆图分析,给设计工作带来困难。 Advanced Design System(ADS)软件是Agilent公司在HPEESOF系列EDA软件基础上发展完善的综合设计软件,内含很多进行小信号放大器设计的控件,能实现大量的计算和smith圆图分析。以下将介绍如何利用ADS设计和仿真低噪声放大器
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:301056
提供者:
weixin_38500607
模拟技术中的调谐于433.05MHz至434.79MHz欧洲ISM频段的LNA
摘要:本篇应用笔记给出了将MAX2640低噪声放大器(LNA)调谐于433MHz的RF匹配电路。输入回波损耗、增益和输出回波损耗的结果被绘制成曲线图。增益为16.75dB,输入回波损耗为-7.6dB,输出回波损耗为-19.8dB。 快速浏览MAX2640数据资料 应用技术支持 MAX2640是为蜂窝、PCS、GPS、2.4GHz ISM和欧洲ISM频段应用设计的低成本超低噪声放大器(LNA)。采用+2.7V至+5.5V单电源供电。本器件具有低噪声系数、高增益、高输入IP3和从
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-12
文件大小:147456
提供者:
weixin_38590541
模拟技术中的优化噪声系数的低噪声放大器(LNA)匹配技术
RF放大器是一个放大微弱信号、以便接收器进一步处理的有源网络。接收器增益分配在系统RF和IF级间,当然,理想的放大器只增加期望信号的幅度,而不增加任何失真和噪声。然而,已知的放大器都会在期望的信号中增加噪声和失真。在接收通道中,天线之后的第一级放大器贡献了大部分系统噪声系数。在噪声网络之前增加增益将减少该网络噪声的贡献。 放大器噪声系数 为了分析电路噪声的影响,必须建立一个噪声电路模型---无噪声的电路加上外部噪声源。 点此下载全文PDF资料:优化噪声系数的低噪声放大器(LNA
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-07
文件大小:28672
提供者:
weixin_38742520
模拟技术中的L波段低噪声放大器的设计
引言 低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件,有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数,因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性能的好坏。低噪声放大器的设计主要包括输入、输出匹配网络和直流偏置网络的设计以及改善晶体管稳定的措施。 本文首先介绍放大器提高稳定性的源极串联负反馈原理,然后设计了一个L波段的低噪声放大器实例,并给出了放火器输入、输出回波损耗、增益、噪声系数等参数的仿真结果。 低噪声放大器的设计
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-17
文件大小:210944
提供者:
weixin_38629873
RFID技术中的锐迪科微电子针对2.4GHz ISM应用推出新一代射频前端模块
锐迪科新推出的RDAT212是针对2.4GHz ISM无线应用的新一代射频前端模块,具有高集成度,高线性度、高效率的特点,将会在手机蓝牙,802.11.b/g扩展以及各类工业应用中大有可为。同时,RDAT212还支持Bluetooth 2.0的高速率应用。 RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造,保证了产品的优良特性。在封装设计上,采
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-27
文件大小:62464
提供者:
weixin_38636983
模拟技术中的Hittite推出3.5~7GHz GaAs低噪声放大器
为通信和军事市场提供基于MMIC的完整解决方案的全球级提供商Hittite微波公司,最近发布一款用于频率范围为3.5~7GHz的微波无线电、军事和空间应用的密封封装的SMT GaAs MMIC低噪声放大器。 HMC392LH5是一个密封的SMT LNA,可提供15dB增益,而在3.5~7GHz频率范围内噪声系数仅为2.5dB。该放大器提供+24dBm的出色的输出IP3性能以及+14 dBm的输出P1dB。除了选择6个可能的偏压选项的灵活性(允许用户选择需要的偏压点和输出功率)之外,该放大
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-25
文件大小:40960
提供者:
weixin_38531630
模拟技术中的Hittite低噪声放大器HMC564LC4和HMC565LC5工作于6~20GHz
Hittite Microwave日前发布两款用于军事、航空、微波无线电、工业、测试以及医疗应用的低噪声放大器(LNA)芯片HMC564LC4和HMC565LC5。 该新品是表面贴装技术(SMT)封装的砷化镓假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器,用于6~20 GHz的应用,器件工作于3伏电压,无需额外匹配。 HMC564LC4工作于7~14GHz,低噪声系数1.8dB,25dBm的高输出IP3,17dB小信号增益,遵循RoHs的4×4毫米无铅S
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-04
文件大小:31744
提供者:
weixin_38723027
优化噪声系数的低噪声放大器(LNA)匹配技术
RF放大器是一个放大微弱信号、以便接收器进一步处理的有源网络。接收器增益分配在系统RF和IF级间,当然,理想的放大器只增加期望信号的幅度,而不增加任何失真和噪声。然而,已知的放大器都会在期望的信号中增加噪声和失真。在接收通道中,天线之后的级放大器贡献了大部分系统噪声系数。在噪声网络之前增加增益将减少该网络噪声的贡献。 放大器噪声系数 为了分析电路噪声的影响,必须建立一个噪声电路模型---无噪声的电路加上外部噪声源。 点此全文PDF资料:(LNA)匹配技术.pdf :
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:27648
提供者:
weixin_38606639
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